发明专利已授权

一种鳍式场效应晶体管及其制作方法

📄 申请号：CN202110275282.6 📄 发布日：2025/10/30

著录项目信息

申请日

2021-03-15

公开号

CN113066724A

公开日

2021-07-02

申请人

泉芯集成电路制造(济南)有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_336

IPC 分类号

H01L21_336 , H01L29_78 , H01L29_423 ,

技术画像

所属领域

晶体管半导体器件集成电路制造技术微纳电子器件晶体管

应用场景

集成电路, 逻辑芯片, 存储芯片, 消费电子, 高性能计算

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摘要

本发明公开了一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，对至少一个所述第二光刻胶层进行曝光显影，以在所述第二光刻胶层上形成第三沟槽，所有所述第三沟槽沿所述第一方向排列；其中，在所述第一方向上，所述第三沟槽的宽度与所述第一光刻胶层在所述第一沟槽侧边所有实体部的宽度相同；以及，在所述第一方向上，所述第二光刻胶层在所述第三沟槽侧边的实体部的宽度相同或不同。进而，在去除牺牲层后以第二光刻胶层为掩膜制作鳍部，使得制作出的所有鳍部之间间距相同，且所有鳍部的线宽相同或至少一个鳍部的线宽与其余鳍部的线宽不同。由此优化鳍式场效应晶体管的制作工艺，进而使得鳍式场效应晶体管的鳍部的线宽可调。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220705

✅ 授权

20210720

?? 实质审查的生效：

20210702

📄 公开

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