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本发明公开了一种金刚石热沉衬底GaN基HEMTs制备方法，包括在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基HEMTs外延结构；再采用激光剥离技术对蓝宝石衬底进行剥离；再刻蚀、抛光GaN底表面外延层，同时抛光金刚石热沉片；再在GaN底表面和金刚石热沉片抛光淀积薄层键合粘合剂，进行低温键合、固化得到金刚石/GaN基HEMTs外延材料/Si三层结构；再去除金刚石/GaN基HEMTs外延材料/Si三层结构中Si晶片的临时支撑材料，得到金刚石/GaN基HEMTs外延材料两层结构；再ICP刻蚀GaN基HEMTs外延材料，进行器件隔离；最后制备器件电极。本发明采用高热导率的金刚石做热沉，散热效果优；低温键合方法有效避免了传统的高温键合对材料性能的损伤；蓝宝石衬底激光剥离有效避免了激光剥离对GaN基HEMTs外延材料性能的影响。

本发明公开了一种利用全固态电池实现增强型III‑V HEMT器件的方法，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。

本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑VHEMT器件的制备方法，现有的GaN器件在工作过程中会产生大量的热，使沟道温度上升，从而使器件的导通电阻增大，使器件的输出电流下降，造成能源浪费的问题。由于器件的能量密度高，所以沟道过热，现有的器件采用的解决策略是将这些热量用散热器发散掉。而本发明在器件中引入了温差发电机构，回收了现有器件沟道中被浪费的能量，提高了器件的效率，减小了能量的损失，具有节约能源的优势。

本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑V HEMT器件，包括源极、栅极、漏极、第一半导层、第二半导体层、第一金属层、N型热电材料、P型热电材料、第二金属层、第三金属层、电绝缘的热良导体散热层、电阻和二极管；而本发明在器件中引入了温差发电机构，回收了现有器件沟道中被浪费的能量，提高了器件的效率，减小了能量的损失，具有节约能源的优势。