专利交易市场

本发明涉及一种适用于发热涂层材料欧姆电极的制作方法。为防止制作发热涂层材料的欧姆电极的触点接触不良、触电打火或者引出线脱离电极等引起的损坏和安全事故，本发明的制作方法为处理好基底，在要制作欧姆电极的区域使用手持式低温等离子体发生器进行轰击，或放置金属微孔阵列板，使用低温等离子体在真空条件下轰击陶瓷基底，在陶瓷表面形成微孔阵列；涂覆碳基材料，并使浆料沉积进入小孔，在真空条件下进行梯度加热；碳基材料固化后，涂覆一层高纯导电银浆，将多芯铜丝附着在小孔上，再次涂覆导电银浆，使导电银浆与小孔内壁充分接触，在真空条件下进行梯度加热，制作完成一种接触稳定，比接触面积大，引出线抗拉强度大的电极。

本发明公开了一种电极制作方法，步骤如下：将球状铟粒压扁成鼓形，鼓形铟粒的厚度由所需电极的大小决定；将鼓形铟粒的凸起边缘切去，而后切出电极粗品；将电极粗品修剪成所需电极的尺寸，并保证裁剪过程铟片的一面不要接触其它任何物体；将裁剪好的铟片转移到样品表面，铟片干净面与样品相对，而后轻压即可使两者牢固粘在一起；重复步骤二至四，依次做好四个电极；而后将四根导线一端分别压入电极。本发明操作简单，制作成本低廉，制作快速且连接可靠，电极大小可方便控制，按上述步骤制作即可，对操作人员的要求较低。

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种FS-IGBT器件阳极的制造方法。本发明的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，主要步骤为：对硅片1背面进行减薄处理；清洗硅片1背面并注入N型杂质，高温推结形成场阻止层2和表面牺牲层3；翻转硅片1完成正面制作工序；去掉硅片1背面的表面牺牲层3；清洗硅片1背面并注入P型杂质，退火形成P型集电极区10；背面金属11积淀。本发明的有益效果为，在不破坏FS层杂质分布前提下，能有效去除背部表面沾污、缺陷，并且实现方式简便、容易控制。本发明尤其适用于FS-IGBT器件阳极的制造。

本发明提供了一种铁电存储器的单元结构及其制备方法，所述铁电存储器的单元结构包括衬底、两个n+区、源极、漏极、第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层、铁电薄膜和栅极；衬底之上沉积有第一氧化层，在第一氧化层上刻蚀有第一矩形窗口以及第二矩形窗口，在第一矩形窗口以及第二矩形窗口处形成有两个n+区、源极和漏极，在第一氧化层、源极和漏极之上沉积有第二氧化层，在第二氧化层中设置有第三矩形窗口，铁电薄膜沉积在第三矩形窗口内，在第二氧化层以及铁电薄膜之上沉积有第三氧化层，在第三氧化层之上沉积有栅极。本发明的铁电存储器的单元结构有助于提高铁电场效应晶体管存储器的保持性能，以期实现铁电场效应晶体管存储器的实用化。