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本发明公开了一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法，通过在SiC功率芯片表面形成具有若干金属图形的金属层，使得键合后键合点与芯片表面铝金属化形成三维连接结构，提升芯片功率循环能力。金属图形为条状，金属层厚度小于或等于键合线直径，金属图形之间的间距大于键合线直径。本发明在不改变键合工艺的情况下提升了键合线功率循环能力，提高器件使用寿命。

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种集成电路全抗静电基座制作方法。在电路基板上蚀刻出多条间距相同且相互平行的接地线；将N根长度相同的针状电极通过导电环沿与接地线垂直的方向平行固定于接地线上；注塑绝缘填充浆，并对注塑形成的基体进行边缘切割使接地线两端裸露，形成单层电极基体；重复以上操作，得到M个单层电极基体；将M个单层电极基体层叠固化为基座胚体a；环绕基座胚体镀覆导电层，形成基座胚体b；沿相邻接地线的间隙方向将基座胚体b切片，得到若干个集成电路全抗静电基座。该制作方法制作出的基座可用于集成电路与电路板相连接，使所连接集成电路的每一个引脚得到抗静电保护。这样可节省大部分用于在芯片内部制作静电防护的晶源面积，同时使芯片的安全性得到充分的保障。

本发明提供了一种金刚石微通道散热器及其制备方法，涉及高热流密度芯片散热技术领域。本方案以固结有活性磨粒的金属丝或者活性金属丝作为线锯切割工具，以多线切割机床为加工设备，通过使线网快速形成线弓的方法，让活性磨粒线锯或活性金属丝在压力条件下高线速、往复、干式划擦金刚石基体，金刚石表面在活性磨粒或活性金属丝的作用下发生相变生成非晶碳或石墨或碳化物，再通过活性磨粒或活性金属丝的机械作用将相变产物去除，进而露出新鲜的金刚石表面，如此循环上述过程，实现金刚石微通道散热器的高效、高质加工。

本实用新型公开了一种陶瓷封装盖板底面处理装置，包括固定架，所述固定架的底面固定安装有支撑腿，所述支撑腿的底端固定安装有支撑垫座，所述固定架的中部固定安装有支撑网架，所述固定架的顶面固定安装有支撑杆，所述支撑杆的顶端固定安装有支撑条，所述支撑条底面的中部固定安装有连接杆，所述连接杆的底端固定安装有鼓风筒。该陶瓷封装盖板底面处理装置，通过将待使用的陶瓷盖板置入出风管出口下方的支撑网架上，通过减速电机驱动鼓风扇转动，使风力通过电热丝从出风管向下鼓出，从而鼓出热风至陶瓷盖板，从而达到了对陶瓷盖板鼓风刮除积附灰尘的效果，且保障了陶瓷盖板表面的干燥，实现了保障加工产品质量的目标，处理起来更加方便。

一种晶体管高精封装设备，包括箱体，所述箱体内设有开口向右的工作腔，所述工作腔顶壁设有可挤出锡液并将晶体管锡焊在电路板上的挤压锡液机构，所述工作腔内转动设有轴套，所述轴套内固定设有圆柱块，所述圆柱块左侧端壁内设有可翻转所述圆柱块的反转机构，本发明的有益效果在于，装置封装时对封装物体判断准确，不会出现误封装规格出错或未安装晶体管的电路板，装置安全可靠，装置剪除多余的针脚的同时进行锡焊，修剪平整，焊点连接牢靠，在整个生产过程中，装置操作简单，自动化程度高，另外，装置可循环往复进行封装，装置生产效率高。

本公开涉及半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括：提供第一晶片，包括：第一电连接件和第二电连接件、第一电介质层和第二电介质层、第二电介质层中的第一开口以及至少覆盖第二电介质层并填充第一开口的第三电介质层；将第二晶片接合到第一晶片；形成第一硅通孔TSV和第二TSV，第一TSV与第一电连接件的至少一部分重叠，穿过第二晶片和第三电介质层，并暴露出第二电介质层的一部分的表面，第二TSV与第一开口的至少一部分重叠，穿过第二晶片、第三电介质层及其下方的由第一开口暴露的第一电介质层，并暴露出第二电连接件的至少一部分的表面；形成分别填充第一TSV和第二TSV的第一导电插塞和第二导电插塞。

本发明公开微纳金属膏体填孔的紧实化处理方法及微孔填充工艺，其中的紧实化处理方法包括以下步骤：(1)通过抽真空让待填孔中的气体溢出，促使微纳金属膏体渗入至所述待填孔中；(2)通过外部仪器对样品基板或待填孔中的微纳金属膏体产生作用力，促使待填孔中的微纳金属膏体具有向待填孔底部移动的加速度，从而实现紧实化处理。本发明的紧实化处理方法实现对样品基板上的微纳金属膏体进行紧实化处理，让填充在待填孔中的微纳金属膏体能够更加贴合、紧致地填充在待填孔中，以提高通孔、盲孔(待填孔)的致密度以及热压烧结后的质量；本发明的微孔填充工艺，采用干湿混合填充的方式，有效提高待填孔的导电导热性能，解决孔洞和夹口问题。

本申请实施例提供一种芯片组件的制作方法、芯片组件及电子设备，涉及芯片组装技术领域，可以减小芯片组件的尺寸。芯片组件的制作方法，用于将芯片与柔性电路板FPC电连接，FPC包括层叠设置的基材层和补强层，基材层具有镂空的开口，FPC上设置有FPC端子，芯片的表面设置有芯片端子，该方法包括：将芯片通过粘合胶贴合于补强层的靠近基材层一侧的表面，形成待连接组件；在待连接组件中，芯片位于基材层的开口内，并且芯片与基材层之间存在间隙；使粘合胶溢胶填充在芯片与基材层之间的间隙中；以及在芯片端子与FPC端子之间，形成互联线路；互联线路通过电镀工艺、钢网印刷工艺或ACF压合工艺形成，用于将芯片端子与FPC端子电连接。