发明专利已授权

一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管

📄 申请号：CN201911220473.1 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2019-12-03

公开号

CN110783398A

公开日

2020-02-11

申请人

济宁学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_739

IPC 分类号

H01L29_739 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

半导体功率器件半导体功率器件绝缘体上硅技术绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

应用场景

电力电子变换, 新能源汽车, 工业电机驱动, 智能电网, 轨道交通

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摘要

本发明公开一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体集成电路技术领域，包括NMOS管A、自偏置PMOS管B、NMOS管C，NMOS管A的N+漏区与NMOS管C的N+源区通过金属互连，NMOS管A的N+源区与PMOS管B的P+漏区相连，二者通过金属短接作为本发明器件的阴极，与上述阴极金属相连的多晶硅作为PMOS管B的栅极，传统硅横向绝缘栅双极型晶体管的阳极作为本发明器件的阳极，本发明与现有技术的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管相比，在相等的导通压降情况下，具有更大的电流密度，更小的导通损耗和芯片面积，解决了现有技术中出现的问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种巷道支护用混凝土喷射锚固装置

当前第 / 件

基于U-Net架构的深度残差网络的脑肿瘤分割方法

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：23 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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