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本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，形成二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构；本发明使用二维铁磁金属材料与二维单层过渡金属硫族化合物形成异质结构，可以充分发挥二维材料的柔性、原子级薄厚度特点，有效避免了传统铁磁金属材料与二维材料形成的三维－二维异质结构而破坏二维材料本身特性的问题，可应用于超薄微型化和柔性自旋电子和能谷电子器件等的开发研究。

本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属Cr2C；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，通过对准转移时的角度控制，制备得到不同堆垛方式的二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构，以实现圆偏振光对二维单层过渡金属硫族化合物中明、暗激子的调控和选择。本发明可以通过二维铁磁金属材料Cr2C－二维单层过渡金属硫族化合物异质结的不同堆垛方式，实现圆偏振光对明、暗激子的调控和选择。

本发明关于一种金属氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管。其中，金属氧化物薄膜的制备方法包括：在设定相对湿度的制备环境中，使金属氧化物前驱液在基片上形成金属氧化物湿膜，并对金属氧化物湿膜进行预退火处理得到预固化金属氧化物薄膜；对预固化金属氧化物薄膜进行等离子处理得到等离子激活的金属氧化物薄膜；对等离子激活的金属氧化物薄膜进行后退火处理得到金属氧化物薄膜。本发明通过制备环境相对湿度与预退火处理温度的相互配合，实现对预固化金属氧化物薄膜毛细流动性和疏松程度的调控，从而在保证甚至进一步扩大等离子激活工艺可调谐范围以及等离子处理对预固化薄膜低温激活效果的基础上，提高金属氧化物薄膜的抗等离子刻蚀损伤能力。

本发明公开了一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术领域。本发明采用电子束蒸发法实现Pd薄膜的构建，采用化学气相沉积法生长，并通过化学生长窗口调节，实现亚厘米级别的WSe2的制备，然后通过湿法转移，将WSe2转移至Pd薄膜上，使得WSe2与Pd形成范德华界面，实现肖特基接触，通过Pd接触构建的Pd/WSe2肖特基晶体管，其转移特性的开/关比提升了100倍，截止电流减小到10‑9 A,展现出更加优异的晶体管性能。

本发明公开一种蛋白质基底上氧化锌基薄膜晶体管制备方法，包括步骤：1：配置得到蛋白质溶液；步骤2：将蛋白质溶液滴于平整的聚对苯二甲酸乙二酯塑料板上，待溶剂挥发后，干燥脱板获得可降解的圆形蛋白质基底薄膜；步骤3：在所述蛋白质基底薄膜上覆盖第一掩膜板，蒸镀铝薄膜，形成栅电极；步骤4：在所述栅电极上覆盖第二掩膜板，溅射沉积HfO2绝缘层薄膜；其中，靶溅射功率为140～160W，温度为85～95℃，压力7.5～8.5mtorr，Ar/O2为8.5:1～9.5:1，沉积时间为1.5～2.5h，HfO2绝缘层薄膜厚度为190～210nm；步骤5：在所述绝缘层薄膜上覆盖第三掩膜板，溅射沉积锡掺杂氧化锌有源层薄膜；步骤6：在所述有源层薄膜上覆盖第四掩膜板，蒸镀源极和漏极后，获得可降解薄膜晶体管。