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本发明公开了基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件，至少包括源极、漏极、悬浮栅极以及至少一异质结沟道，源极和漏极通过异质结沟道电连接。其中，AlGaN/GaN异质结构中，AlGaN厚度低于足以产生二维电子气的临界厚度，因此在天然状态下，AlGaN/GaN异质结沟道中不存在二维电子气。在Ga2O3/TiO2悬浮栅结构中，TiO2位于所述AlGaN层之上，所述Ga2O3位于所述TiO2之上。与现有技术相比，本发明具有如下优点：(1)空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。(2)由于光生载流子和沟道电子感应速度极快，又由于二维电子气的高迁移率，所以光电流产生的速度极快，这将提高紫外探测器的响应速度。