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本发明涉及一种晶圆的切割方法以及单芯片封装体，涉及半导体封装技术领域。在本发明的晶圆的切割过程中，通过在每个所述芯片区域的上表面形成多个分立设置的塑封固定槽，并在每个所述芯片区域的上表面形成多个分立设置的热扩散槽，使得相邻两个所述塑封固定槽之间设置至少一个热扩散槽。上述结构的设置，一方面提高单芯片封装体的散热性能，另一方面有效提高塑封层与芯片之间的接合强度，进而避免塑封层、导热块以及芯片三者之间发生剥离。

本发明公开了一种基于氧气等离子体蚀刻的PS小球循环刻蚀工艺，包括如下步骤：对衬底进行清洗干燥；在衬底上沉积单层PS小球；将其置于氧气等离子体蚀刻机的真空腔室内，设定相关工艺参数；预设单位蚀刻周期为连续的15秒氧气等离子体激发时间与30秒停止激发时间，使用的单位蚀刻周期的数量为N，蚀刻总时长T=N*15秒；取出衬底，蒸镀金属层，进行有机溶剂清洗和干燥处理，完成模板转移后，可用于微纳结构的制造。本发明解决了传统PS小球蚀刻过程中PS小球易融化所导致的PS小球光刻易失效、模板转移困难、PS小球残留物难以祛除等系列难题，通过实现高质量PS小球蚀刻工艺，来实现更为复杂精细的微纳结构制造。