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本实用新型公开了一种硅片氧化层去除装置，涉及半导体加工技术领域，包括直角顶板和底部箱体，所述直角顶板安装固定在底部箱体的上端位置上，所述底部箱体的上端左侧设置有氧化浸泡腔，所述底部箱体的上端右侧设置有干燥处理器，所述底部箱体的下端中间设置有支撑放置座，所述直角顶板的顶端中间设置有直线丝杠导轨模组，所述直线丝杠导轨模组的下端设置有升降浸泡收纳框，所述升降浸泡收纳框的下端内侧设置有硅片本体。本实用新型通过升降浸泡收纳框上端直线丝杠导轨模组的左右摆动，使得升降浸泡收纳框下端内侧的硅片本体可以晃动分离产生间隙，这样在浸泡时更加充分全面。

本发明提供了一种金属互连结构的制备方法，其包括有提供具有互连线的下方介质层；在下方介质层上依次形成富含氮的蚀刻终止检测层、多孔层间介质层、低K缓冲层、金属硬掩模层；在所述金属硬掩模层上形成具有开口图案的光刻胶层，并且开口的截面的宽度大于互连线的截面宽度；对金属硬掩模层和低K缓冲层进行刻蚀，形成开口结构；以开口结构为掩模对多孔层间介质层进行飞秒激光刻蚀；通过检测，当刻蚀到所述富含氮的蚀刻终止检测层时，采用第三刻蚀，并在刻蚀过程中通入氢气还原气体；在暴露出下方的所述互连线之后，持续通入氢气并对下方介质层进一步的过刻蚀，形成开口结构；在开口结构中依次形成阻挡层、晶种层和金属层，形成金属互连结构。