本发明公开了一种基于石墨烯复合结构的三维硅通孔垂直互联方法，在硅基片上制作硅孔；在硅基片表面及硅孔内壁沉积绝缘层；在绝缘层上沉积阻挡层，在阻挡层上沉积催化金属层；在催化金属层表面生长石墨烯复合结构层；在硅基片上的石墨烯复合结构层表面贴干膜，曝光、显影形成干膜层；在硅孔底面和干膜层表面上沉积种子层；在硅孔内填充导电材料。本发明在硅基片上开孔然后先后沉积绝缘层、阻挡层、催化金属层，再生长石墨烯复合结构层，贴干膜，沉积种子层后填充导电材料，利用石墨烯材料良好的热力学、机械和材料特性，以解决3D TSV结构的高频信号电磁耦合串扰问题。
📄 2017108996476
📂 H01L21_768
👤 东莞锐信仪器有限公司
📅 2017-09-28
本发明公开了一种基于碳纳米材料复合结构的三维硅通孔垂直互联方法，在硅基片上制作硅孔；在硅基片表面及硅孔内壁沉积绝缘层；在绝缘层上沉积阻挡层，在阻挡层上沉积催化金属层；刻蚀催化金属层，形成纳米催化颗粒；利用纳米催化颗粒生长碳纳米材料复合层；在硅基片上的碳纳米材料复合结构层表面贴干膜，曝光、显影形成干膜层；在硅孔底面和干膜层表面上沉积种子层；在硅孔内填充导电材料。本发明利用碳纳米材料良好的热学和机械性能，解决由功率密度增加导致的TSV封装结构的散热问题和封装材料间的热应力失配问题，提高3D‑TSV结构的导热性及封装可靠性。
📄 2017109002472
📂 H01L21_768
👤 东莞锐信仪器有限公司
📅 2017-09-28
本发明技术方案公开了一种金属互连结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底层，所述基底层中含有器件结构；在所述基底层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层内形成贯穿其厚度的接触孔，所述接触孔底部暴露所述器件结构；在所述第一绝缘层表面及接触孔内形成导电层，当接触孔内所述导电层中的缝隙开口宽度为接触孔宽度的十分之一～八分之一时，停止形成所述导电层工艺；在所述导电层表面及所述缝隙内形成第二绝缘层；采用抛光液抛光所述第二绝缘层及所述导电层至露出所述第一绝缘层，形成导电插塞，其中所述抛光液抛光所述第二绝缘层的速率小于抛光所述导电层的速率。上述方法形成的金属互连结构有效减少碟型缺陷，保证金属互连的性能。
📄 2018100228675
📂 H01L21_768
👤 德淮半导体有限公司
📅 2018-01-10
本发明公开了一种能够高可靠地制备半导体中孔纳米结构的方法，首先在限制性引导结构上进行自对准侧墙薄膜生长，进而在其上沉积嵌段共聚物材料经退火形成周期性排列的定向自组装图形，随后选择性去除某一或某些区域并保留其他区域以形成预定图案。然后，以余下区域为掩模，刻蚀自对准侧墙薄膜并暴露半导体衬底的一部分形成双掩模结构，继而对上述打开的预定图案进行刻蚀形成通孔结构。之后，在衬底背部形成大尺寸的孔洞支撑结构，并与上述通孔结构相接触，最终形成中孔半导体纳米结构。本发明可以极大地克服现有光刻技术因为有限的分辨率限制和高昂的成本导致的纳米尺度的结构难于加工的问题。
📄 2020100757661
📂 H01L21_768
👤 成都工业学院
📅 2020-01-22
本发明公开一种通孔、盲孔互连结构成型工艺，包括以下步骤：(1)将预填充块压入具有孔洞的模具中；预填充块脱模，形成填充基材，其表面获得多个填充棒；(2)将载板材料并覆盖在填充基材的表面，使得填充基材表面上的填充棒插入至载板材料中；(3)通过控制温度，使得载板材料固化形成载板基材；利用载板材料与填充基材的热收缩差异，实现载板材料与填充基材界面分离，填充棒根部断裂，使得填充棒保留在载板基材中；(4)对步骤(3)中形成的载板基材进行线路层的加工，最终获得具有通孔或盲孔互连结构的载板基材。本发明具有高效、精准的优点，使得填充基材与通孔、盲孔的配合度高，有利于提升互连结构的导热和导电性能。
📄 202110782364X
📂 H01L21_768
👤 广东工业大学
📅 2021-07-09
本发明涉及智能功率模块及其制造方法,智能功率模块包括设置有阻焊层的基板、封胶和具有金属柱的芯片,封胶以与阻焊层接触的方式设置在基板上,封胶内设置有基于透光组件轮廓形状构成的若干空腔,与透光组件的轮廓形状一致的金属柱以金属柱端部的焊膏与空腔内的连接垫接触的方式插入空腔,透光组件内设置有与注胶通道连通的感光腔,注胶通道以与外界连通的方式设置在透光主体的一端,感光腔以与外界接触面积不小于透光主体的横截面积的50%的方式设置在透光主体的另一端。通过在透光体内设置若干导光槽、注胶通道和感光腔,使得感光腔在固化后能够与透光主体连接并同时移除,降低感光胶留存概率,提高智能功率模块的封装效率。
📄 2021108228001
📂 H01L21_768
👤 佛山慧鑫众创科技有限公司
📅 2021-07-20
本发明公开一种基于纳米金属的深孔互连结构制备方法，先在待形成深孔互连结构的玻璃板上形成深孔；再通过点胶装置将纳米金属膏对深孔进行填充；填充完毕后，刮除玻璃板表面溢出的残余纳米金属颗粒；之后再对填充的纳米金属进行变深度烧结成型；最后对玻璃板进行湿法清洗，去除残留纳米金属颗粒，玻璃板上的深孔互连结构制备完成。本发明是在深孔中采用纳米金属填充，然后烧结形成深孔互连的导体结构，无需采用电镀铜的方式，避免造成对环境的污染。
📄 2020116413442
📂 H01L21_768
👤 广东工业大学
📅 2020-12-31
本发明公开了一种减小堆叠芯片上互连输入输出管脚面积的方法，在制作堆叠芯片的过程中，通过降低互连输入输出管脚中驱动晶体管的数量、尺寸，以及降低互连输入输出管脚中抗静电放电器件晶体管的数量、尺寸，减小互连输入输出管脚面积；其中堆叠芯片采用微控制器标准系统总线作为管脚进行互连。本发明通过减小在用微控制器标准系统总线做管脚互连的上下堆叠多颗芯片上互连输入输出管脚中驱动电路尺寸和抗静电释放电路尺寸，以及减少驱动电路晶体管数量和抗静电释放电路晶体管数量，从而减小互连输入输出管脚面积，最终减小芯片面积，降低芯片成本。
📄 2012104109470
📂 H01L21_768
👤 上海新储集成电路有限公司
📅 2012-10-24
柿子坊 · 知识产权运营
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