本发明提供了一种在Si衬底上制备InGaN外延层的方法以及通过该方法生产的硅基InGaN外延层。本发明的方法包括以下步骤：1)在Si衬底上直接生长第一InGaN层；和，2)在所述第一InGaN层上生长第二InGaN层。
📄 2018115594602
📂 H01L21_02
👤 华南师范大学
📅 2018-12-19
本发明涉及一种基板的表面处理工艺，将基板浸入玻璃洗涤剂内，洗净后用去离子水清洗；浸入附着力促进液中，超声处理然后取出加入丙酮超声处理取出后使用去离子水冲洗，然后使用氮气将基板吹干；浸泡在有机溶剂内，避光保存。本发明使用清洗、超声、冲洗、干燥、浸泡处理工艺处理的基板材料，能够利用有机溶剂与基板表面的缓慢反应最大限度的去除表面油污残留，并改善基板表面浸润性，能够增强基板后续镀膜的附着力及均匀性，该方法操作简单，无需其他处理设备，可在室温下空气中制备，与大面积商业化生产制备工艺相兼容。
📄 2016103013322
📂 H01L21_02
👤 浙江海洋大学
📅 2016-05-09
本发明涉及一种实现非对称传输的微纳金属结构及其制备方法，该结构由多个结构相同的周期单元上下、左右连接而成，且所有周期单元位于同一平面；每个周期单元中包含有一个结构单元，每个结构单元包括横体Ⅰ、横体Ⅱ、横体Ⅲ、横体Ⅳ和竖体；横体Ⅰ、横体Ⅱ、横体Ⅲ和横体Ⅳ由上及下依次排列且与竖体垂直相连，横体之间间隔相等且互相平行，横体Ⅰ、横体Ⅱ的左顶端与竖体连接，分布在竖体的右侧，横体Ⅲ、横体Ⅳ的右顶端与竖体连接，分布在竖体的左侧。在极化转化光谱上呈现出共振峰的模式，得到的“双F”形结构的非对称性传输的值很大，最大值可以达到ATmax=14.2%，比单独的Z形与C形结构非对称性传输效率大了32倍及40倍。
📄 2017112906152
📂 H01L21_02
👤 陕西师范大学
📅 2017-12-08
本发明公开了一种使用一步化学气象沉积法合成无铅全无机钙钛矿薄膜的方法，所述方法步骤如下：将溴化铯和溴化锡粉末按照相同摩尔比分别放置在石英舟中，将装有粉末的石英舟放置在双温区管式加热炉的上游高温区；控制温度，在氩气气氛中将粉末升华为汽态，并通过高纯载气氩气在低温区的硅片衬底上沉积；完成沉积后在低温区进行加热，获得质量的无铅全无机钙钛矿薄膜。本发明制备的无铅全无机钙钛矿薄膜具有晶体质量高、无杂质相和较大尺寸，同时具有工艺简单，可重复性好，尤其适用于批量制备基于钙钛矿薄膜的半导体器件。
📄 2019108648852
📂 H01L21_02
👤 陕西科技大学
📅 2019-09-09
基于蚕丝纤维的图案化半导体聚合物薄膜制备方法，主要用于制备半导体聚合物薄膜材料的微纳图案化，该方法包括：首先采用曝光技术在光刻胶薄膜表面制备所需聚合物薄膜微纳图案的互补尺寸；其次将未交联的PDMS材料涂在有图案的光刻胶薄膜表面，进行热交联处理后取下，光刻胶图案就转移到PDMS薄膜软模板的表面；再者将有微纳图案的PDMS薄膜放在蚕丝纤维水溶液上面，室温干燥处理后就可以制备有微纳结构的蚕丝纤维薄膜；最后将蚕丝纤维薄膜作为模板，利用纳米压印技术就可以实现不同半导体聚合物薄膜的图案化。该制备方法具有步骤简单、低成本、大面积和操作条件要求低等优点，尤其适用于刚性强或者室温图案化的有机半导体材料，具有良好的实际应用价值。
📄 2015106292718
📂 H01L21_027
👤 淮北师范大学
📅 2015-09-29
本发明属于晶体管制备技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管制备方法，将溶液法和热退火相结合制备超薄Tm2O3介电层和高迁移率的In2O3半导体沟道层，进而制备高性能的TFT，与现有技术相比，具有以下优点：一是Tm2O3高k栅介电层的物理厚度小于15nm，低漏电流的特性能够很好地满足微电子集成化对于器件尺寸的需求；二是Tm2O3薄膜为非晶态，可大面积均匀制备介电层；三是采用等离子体清洗衬底表面，能够增加旋涂时Tm2O3前驱体溶液在衬底的附着力，使得旋涂表面更加均一平整；四是薄膜晶体管中的半导体沟道层和高k介电层均是利用溶液法制备的，成本低廉，制备过程不需要高真空环境，在空气中即可进行。
📄 2021103006692
📂 H01L21_02
👤 青岛科技大学
📅 2021-03-22
本发明提供了一种激光清洗硅片或透镜表面颗粒的方法，首先，将对激光具有吸附作用的黏胶涂覆在工件的待清洗表面，通过黏胶将颗粒污物包围，经过干燥后颗粒污物将被固化在黏胶内；然后，利用脉冲激光束辐照黏胶层表面，脉冲激光束作用在黏胶层上，产生冲击波，在激光的瞬时热力作用下，黏胶层和固化在黏胶内的颗粒污物开裂，形成粒度为100～300μm的碎片，并从工件的表面飞离，使颗粒污物从工件的待清洗表面分离；工件经过高压气体吹洗之后，放入丙酮溶液进行超声清洗清除粘着在工件表面的残渣。能够有效清洗工件表面的颗粒，保护工件表面免受激光的直接烧蚀，从而避免硅片表面受到激光热效应的损伤。
📄 201910044747X
📂 H01L21_02
👤 江苏大学
📅 2019-01-17
一种InP基纳米周期结构的制备方法，包括：在硅基InP衬底上涂覆电子束胶，将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘，利用版图设计工具按照理论曝光线条宽度减小一定倍数设计掩模图形，采用上述掩模图形对衬底进行电子束曝光和显影，利用感应耦合等离子体技术在甲烷和氢气混合气氛中刻蚀InP，利用湿法清洗去掉残胶后，得到目标线宽的InP纳米周期结构。本发明通过收缩掩模图形和降低刻蚀沉积两个步骤的协同耦合效应，既能抵消曝光过程中电子的邻近效应，提高电子束曝光均匀度，又可以减少等离子体刻蚀反应中的沉积物平铺堆积，改善纳米结构的边缘形貌，从而得到目标线宽的纳米周期结构。
📄 202110342868X
📂 H01L21_027
👤 江苏师范大学
📅 2021-03-30
本发明涉及一步法制备单层MoS2/WS2双组份梯度材料的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将硫粉用药匙在刚玉舟的一侧压实，并将盛放硫粉的刚玉舟用铝箔纸密封包裹，用细钢针在盛放硫粉的一侧扎小孔，然后将盛放硫粉的刚玉舟置于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨粉与NaCl混合物、氧化钼粉依次分开置于长刚玉舟上游，将基底置于长刚玉舟下游，然后将长刚玉舟置于多温区管式炉下游高温区；随着多温区管式炉下游高温区温度的调节及NaCl用量的调整，制备出不同尺寸的单层MoS2/WS2双组份梯度材料。本发明能够制备尺寸可控的单层MoS2/WS2双组份梯度材料，所制备的样品结晶性好、化学及热力学性能稳定，应用前景好。
📄 2022104736061
📂 H01L21_02
👤 燕山大学
📅 2022-04-29
本发明公开了一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用，所述二维纳米结构阵列由在FTO玻璃衬底上生长的规则排列的半导体纳米片团簇构成。本发明是在FTO玻璃衬底上，通过水热法直接生长CuxS纳米片团簇，然后在其上SILAR铟镓硫，再进行退火，使沉积的铟镓硫部分进入到CuxS晶格中，得到铜铟镓硫二维纳米结构阵列。其中，SILAR法能够通过控制沉积循环数来调节沉积薄膜的厚度，同时该方法继承了原子层沉积的优点，可实现薄膜在复杂基底的均匀沉积。本发明制备的二维纳米结构阵列排列有序，周期性好，光吸收性能优良，可用于高效率大面积太阳能电池的制备。
📄 2019106515714
📂 H01L21_02
👤 商丘师范学院
📅 2019-07-18
本发明公开一种碳化硅晶圆加工工艺，包括以下步骤：S1、将碳化硅基板永久键合在硅载板上；S2、完成碳化硅基板的减薄及除高温制程外的其他晶圆正面制程；S3、将碳化硅基板转移到石墨托盘上，解除碳化硅基板与硅载板的永久键合，移除硅载板；S4、利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程；S5、碳化硅基板背面键合玻璃载板，移除石墨托盘；S6、碳化硅基板正面键合玻璃载板，解键合移除背面玻璃载板；S7、完成碳化硅基板背面晶圆制程；S8、将碳化硅基板转移到切割模框上，解键合移除正面玻璃载板，完成晶圆的切割。本发明利用硅载板承载碳化硅基板进行减薄，利用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程，克服了碳化硅材料硬度大、活化温度高的加工难题。
📄 2021111621636
📂 H01L21_02
👤 浙江同芯祺科技有限公司
📅 2021-09-30
本实用新型涉及一种复合式钝化膜，应用于包含硅分子的平面结构器件，其特征在于，所述复合式钝化膜包括：平铺于所述平面结构器件上的第一钝化层，所述第一钝化层为氧化硅层；平铺于所述第一钝化层上平铺第二钝化层，所述第二钝化层为磷硅层；平铺于所述第二钝化层上平铺第三钝化层，所述第三钝化层为氮硅层；平铺于所述第三钝化层上平铺绝缘薄膜。本实用新型可以为平面硅结构器件提供更好的钝化保护。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2021202172864
📂 H01L21_02
👤 德兴市意发功率半导体有限公司
📅 2021-01-26
已申报项目
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