搜索IPC：

发明已授权

本发明技术方案公开了一种沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺。所述沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有研磨停止层；依次刻蚀所述研磨停止层和半导体衬底，在所述研磨停止层和半导体衬底内形成沟槽；采用原子层沉积工艺在所述研磨停止层表面、所述沟槽侧壁及底部形成氧化硅层；采用TEOS‑Ozone热化学气相沉积工艺向所述沟槽内填充氧化硅，所述氧化硅填满所述沟槽且覆盖所述氧化硅层。本发明技术方案能够优化TEOS‑Ozone氧化硅薄膜的沉积速率、均匀性、致密性，从而提高薄膜质量及产能。

📄 2018114792926 📂 H01L21_762 👤 淮安西德工业设计有限公司 📅 2018-12-05

¥0.0 元

咨询

半导体装置及其制造方法

发明已授权

本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括衬底，衬底包括沟槽结构部件以及由沟槽结构部件分隔开的有源区，其中，沟槽结构部件具有沟槽以及位于沟槽中的第一区域和第二区域，第二区域至少包围第一区域的底面和侧面，并且第一区域由导电材料形成，第二区域由绝缘材料形成。

📄 2017112812282 📂 H01L21_762 👤 淮安西德工业设计有限公司 📅 2017-12-07

¥0.0 元

咨询

交易保障 · 安心交易

资金托管

买家付款至平台，交易完成/过户成功后放款给卖家

权属尽调

专利有效性分析 + 权属状态核查，确保交易安全

合同审核

标准转让/许可合同模板，支持在线电子签署

全程代办

著录项目变更、备案手续全程代办，省心省力

成功交易案例

🔬

固态锂电池电解质专利包

转让方：中国科学院××研究所
受让方：××新能源科技有限公司
交易类型：独占许可
交易金额：¥320万

🧬

CRISPR基因编辑技术

转让方：××大学
受让方：××生物医药有限公司
交易类型：转让
交易金额：¥1,200万

⚡

SiC功率器件工艺专利

转让方：××半导体有限公司
受让方：××汽车电子集团
交易类型：转让
交易金额：¥680万

☀️

钙钛矿光伏组件技术

转让方：××科技公司
受让方：××能源集团
交易类型：开放许可
交易金额：¥50万/年

专利交易市场

沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺

半导体装置及其制造方法

求购专区 · 发布技术需求，卖家在线应标