专利交易市场

本发明公开了用氮和硼改善4H-SiC MOSFET反型层迁移率的方法，属于微电子技术领域。步骤如下：A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H-SiC外延层表面；B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层；C、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层与氧化层的界面；扩散工艺的扩散温度为950℃，时间为1.5-2.5小时，确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透栅氧化层到达4H-SiC/SiO2界面；硼扩散工艺后，在惰性气体的保护下退火。该方法能大大减小4H-SiC/SiO2的界面态密度、提高4H-SiC MOSFET的反型层迁移率，同时稳定4H-SiC MOSFET的阈值电压。

本发明公开了用氮和硼改善4H‑SiC MOSFET反型层迁移率的方法，属于微电子技术领域。步骤如下：A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H‑SiC外延层表面；B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层；C、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层与氧化层的界面；扩散工艺的扩散温度为950℃，时间为1.5‑2.5小时，确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透栅氧化层到达4H‑SiC/SiO2界面；硼扩散工艺后，在惰性气体的保护下退火。该方法能大大减小4H‑SiC/SiO2的界面态密度、提高4H‑SiC MOSFET的反型层迁移率，同时稳定4H‑SiC MOSFET的阈值电压。

本发明涉及一种基于SPiN二极管的频率可重构套筒偶极子天线制备方法。该方法包括：在半导体基片上按照天线的结构特征制作SPiN二极管；采用半导体工艺将多个SPiN二极管的P+接触区及N+接触区依次串接形成多个SPiN二极管串；制作连接SPiN二极管串与电源的直流偏置线；采用半导体工艺对SPiN二极管串进行制作形成SPiN二极管天线臂、第一SPiN二极管套筒及第二SPiN二极管套筒；制作同轴馈线以连接SPiN二极管天线臂、第一SPiN二极管套筒及第二SPiN二极管套筒最终形成天线。通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通时形成的等离子天线臂及套筒长度以实现天线工作频率的可重构。本发明的天线具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。

本发明涉及一种基于GaAs的频率可重构套筒偶极子天线的制备方法。该方法包括：选取GeOI衬底；在所述GeOI衬底表面生长GaAs材料；在所述GaAs材料上按照所述套筒偶极子天线的结构制作多个SPiN二极管串；制作直流偏置线以连接所述SPiN二极管串与直流偏置电源；利用多个所述SPiN二极管串制作所述天线臂和所述套筒；制作所述同轴馈线以连接所述天线臂及所述套筒，最终形成所述套筒偶极子天线。本发明实施例的套筒偶极子天线，通过金属直流偏置线控制SPiN二极管导通，形成等离子天线臂及套筒长度的可调，从而实现天线工作频率的可重构，具有易集成、可隐身、频率可快速跳变的特点。