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基于蚕丝纤维的图案化半导体聚合物薄膜制备方法，主要用于制备半导体聚合物薄膜材料的微纳图案化，该方法包括：首先采用曝光技术在光刻胶薄膜表面制备所需聚合物薄膜微纳图案的互补尺寸；其次将未交联的PDMS材料涂在有图案的光刻胶薄膜表面，进行热交联处理后取下，光刻胶图案就转移到PDMS薄膜软模板的表面；再者将有微纳图案的PDMS薄膜放在蚕丝纤维水溶液上面，室温干燥处理后就可以制备有微纳结构的蚕丝纤维薄膜；最后将蚕丝纤维薄膜作为模板，利用纳米压印技术就可以实现不同半导体聚合物薄膜的图案化。该制备方法具有步骤简单、低成本、大面积和操作条件要求低等优点，尤其适用于刚性强或者室温图案化的有机半导体材料，具有良好的实际应用价值。

一种InP基纳米周期结构的制备方法，包括：在硅基InP衬底上涂覆电子束胶，将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘，利用版图设计工具按照理论曝光线条宽度减小一定倍数设计掩模图形，采用上述掩模图形对衬底进行电子束曝光和显影，利用感应耦合等离子体技术在甲烷和氢气混合气氛中刻蚀InP，利用湿法清洗去掉残胶后，得到目标线宽的InP纳米周期结构。本发明通过收缩掩模图形和降低刻蚀沉积两个步骤的协同耦合效应，既能抵消曝光过程中电子的邻近效应，提高电子束曝光均匀度，又可以减少等离子体刻蚀反应中的沉积物平铺堆积，改善纳米结构的边缘形貌，从而得到目标线宽的纳米周期结构。