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本发明涉及一种晶体二极管的制造工艺，包括以下步骤：S1、晶片切割；S2、晶片装配：将晶片引线置于引线轨道上，将每块晶片依次抓取放在晶片引线内，将晶片引线通过分段机分割成216～360粒产品的晶片引线段，并依次装在引线盒内；S3、焊线：将装有晶片引线段的引线盒移至焊线机工作台上，调节焊线机的功率为30～50mW，压力为250～350mN，温度为240～320℃，将引线盒内的每一块晶片引线段放在焊线机上进行焊线，得到有引脚的晶片；S4、注塑；S5、电镀；S6、分离；S7、测试；S8、上带：将测试合格的晶体二极管用装带机构装载于条带状的载带上，并通过进行塑封，得到产品。本发明的优点在于：制造过程中转运方便、提高产品质量和便于分类运输或储存。

本发明涉及一种用于多层全息天线的GaAs基横向等离子pin二极管的制备方法，多层全息天线包括：半导体基片GeOI、天线模块、第一全息圆环及第二全息圆环；其中，天线模块、第一全息圆环及第二全息圆环均包括依次串接的GaAs基等离子pin二极管；GaAs基等离子pin二极管制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，在衬底表面利用MOCVD淀积GaAs层并形成隔离区；刻蚀衬底形成P型沟槽和N型沟槽并形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，在衬底上形成引线，以完成GaAs基等离子pin二极管的制备；本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于多层可重构全息天线的高性能GaAs基等离子pin二极管。