专利名称：CPO光模块封装结构      申请号：2024209102334     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：通信   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本实用新型涉及光学封装技术领域，具体公开了一种CPO光模块封装结构，包括：基板组件；独立光电共封芯片；光纤阵列组件，与键合结构中的光芯片单元耦合连接，获得CPO光模块封装结构；独立光电共封芯片为通过对键合晶圆在间隔槽位置并沿间隔槽的深度方向进行划片后形成的，键合晶圆中的通孔与间隔槽的位置对应；通孔为在每相邻两个电芯片单元之间预设区域刻蚀形成，且通孔的孔径大于间隔槽的孔径；多个电芯片单元形成电芯片组件，至少两个镜像组合的光芯片单元形成光芯片组件，且相邻两个光芯片单元之间形成间隔槽。本实用新型提供的CPO光模块封装结构能够有效避免光芯片组件的光I/O口被遮挡。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

专利名称：适配先进封装CPO光模块的光源系统      申请号：2024209102368     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：通信   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本实用新型涉及光学封装技术领域，具体公开了一种适配先进封装CPO光模块的光源系统，包括：基板组件；光源组件；第一透镜组件，设置在基板组件上，能够将激光光束变成准直光；电芯片组件，与基板组件键合连接；光芯片组件，倒装设置在电芯片组件背离基板组件的表面；第二透镜组件，与光芯片组件连接，且第二透镜组件的透镜结构部与光芯片组件的光I/O口相对设置，能够将准直光进行汇聚后形成能够通过光芯片组件的光I/O口进入光芯片组件的汇聚光；光纤阵列组件，设置在基板组件上。本实用新型提供的适配先进封装CPO光模块的光源系统能够使得光芯片组件具有较大的耦合容差，解决了现有技术中PIC与LD无法实现共基板而导致的掉光问题的发生。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

专利名称：一种基于先进封装的光电共封模组      申请号：2024204559076     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：其他   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本实用新型公开了一种基于先进封装的光电共封模组，包括：光电中介基板；光芯片和电芯片，位于光电中介基板的第一表面，且通过光电中介基板电连接；电路板，位于光电中介基板的第二表面，且通过光电中介基板实现与光芯片和电芯片均电连接；光纤阵列组件，位于光电中介基板的第一表面并与光电中介基板耦合连接；光电中介基板内设置有光栅耦合器和第一光波导，用于传输光纤阵列组件与光芯片之间的光信号；光芯片内包括波导层与器件层，波导层与器件层的光互联采用倏逝波耦合。本实用新型提供的技术方案，改善了高速光模块高频损耗大、集成度低、散热面积小的问题，同时解决了先进封装工艺制程中光芯片光口保护困难的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

专利名称：基于先进封装工艺的CPO光模块组件      申请号：2023236218085     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：通信   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本实用新型提供基于先进封装工艺的CPO光模块组件，CPO光模块组件，包括重构光芯片、重构电芯片、PCB板及光纤阵列FA组件，重构光芯片包括光芯片晶圆体、导电单元、第一RDL+UBM单元及第二RDL+UBM单元，重构电芯片，包括电芯片及与第一电性连接引脚，第一电性连接引脚与第一RDL+UBM单元电性连接；PCB板，包括基板及在基板上设的第二电性连接引脚，第二电性连接引脚与第二RDL+UBM单元电性连接；光纤阵列FA组件，通过出光口与硅波导单元耦合。本方案，确保了较大的散热面积，避免了散热面积有限导致功耗的消耗及光模块传输距离减少问题，同时，在耦合过程中不涉及复杂的引线，减少了EIC、PIC插损，增大了两者间的传输带宽，改善了额外阻抗，提高了封装可靠性和效率。

专利名称：基于超透镜的UTC-PD器件、集成芯片以及光纤信号处理器      申请号：2023233921064     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：光学仪器   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本实用新型涉及基于超透镜的UTC‑PD器件、集成芯片以及光纤信号处理器，基于超透镜的UTC‑PD器件，包括：衬底层；超透镜，于衬底层的远离器件层的表面经过刻蚀工艺形成预设形状的超透镜，用于将接收到的外部光信号进行聚焦；器件层，器件层位于所述衬底层之上，所述器件层的有源区的中心与超透镜的中心在衬底层所在平面上的投影重合，用于实现将经过超透镜聚焦过的光信号最大限度的转化为电信号。集成芯片包括超透镜的UTC‑PD器件及硅衬底层核光栅耦合器，本方案，在一定程度上提高了被UTC‑PD的器件层吸收到光信号的比例，进而也确保了UTC‑PD的器件层的有源区的性能，同时省去了超透镜与UTC‑PD的衬底层的集成过程，在工艺上很大程度上提高了集成效率。

专利名称：光模块参数监控系统及耦合装置、调试装置      申请号：2023232956954     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：通信   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本实用新型公开了一种光模块参数监控系统及耦合装置、调试装置，涉及光模块技术领域，其技术方案要点是：包括上位机、数据采集装置、光模块承载板；上位机与数据采集装置连接；数据采集装置与光模块承载板连接；光模块承载板设置有光模块插座，待测光模块通过光模块插座与光模块承载板固定连接；上位机发送参数监控信息，数据采集装置接收到参数监控信息后，解析参数监控信息获得并向光模块承载板发送参数监控指令，待测光模块的控制单元接收到参数监控指令后，解析得到参数监控指令对应的参数及其获取上传操作和/或修改操作，并执行操作。其特点是可以同时应用于光模块的耦合环节和调试环节中，提高了生产效率和光模块质量的稳定性。

专利名称：一种热光开关远程控制系统      申请号：2023226612297     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：电力 开关插座   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本实用新型公开了一种热光开关远程控制系统，涉及热光开关控制领域，其技术方案要点是：包括多个主控平台、多个热光开关单元、云服务器和网关；其中，每个主控平台，包括处理器单元、一个或多个多通道DAC单元、多个光电传感单元和一个或多个AD采样单元；多通道DAC单元，包括一输入端和多个独立的DAC单元转换通道，每个独立的DAC单元转换通道，均包含一用于驱动热光开关单元的输出端，所述输出端连接热光开关单元的驱动端；光电传感单元，用于接收热光开关单元光输出端的输出光强并将输出光强转换为反馈模拟信号；AD采样单元，用于接收反馈模拟信号并将反馈模拟信号转换为反馈数字信号。其可以同时并行驱动多个热光开关单元，可根据需要提高驱动精度。

专利名称：前置放大电路、信号测量装置及计算机故障诊断系统     申请号：2024223419409     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：计算机硬件   相似专利 发布日：2025/07/15  

专利名称：一种用于光开关阵列的可重排无阻塞架构     申请号：2024216075844     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：电力 开关插座   相似专利 发布日：2025/07/15  

专利名称：一种基于全同态加密技术的企业大模型回答文本生成方法、装置及系统      申请号：2024107335279     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：人工智能   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本发明公开了一种基于全同态加密技术的企业大模型回答文本生成方法、装置及系统。该方法包括：接收用户输入的提问文本；获取所述提问文本对应的密文文档，其中，所述密文文档为将所述提问文本在数据库中对应的目标文档进行加密后形成的文档；基于全同态加密算法，根据所述密文文档确定密文摘要；根据所述密文摘要生成所述提问文本对应的回答文本。通过本发明的技术方案，能够在不泄露原始数据的情况下，通过全同态加密技术对密文文档进行整理得到密文摘要，有效保护敏感信息和隐私数据。

专利名称：定向耦合器的设计方法、装置及存储介质      申请号：2024105733267     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：计算机硬件   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本发明涉及集成光学技术领域，具体公开了一种定向耦合器的设计方法、装置及存储介质，包括：获取定向耦合器数据集；将定向耦合器数据集中的训练样本集输入至优化后的BP神经网络模型进行训练学习，并通过测试样本集对训练学习后的BP神经网络模型进行测试获得定向耦合器结构参数预测模型，其中优化后的BP神经网络模型为至少对BP神经网络的隐含层神经元个数、学习率以及初始权值阈值优化后获得；将目标分光比输入至定向耦合器结构参数预测模型，获得与目标分光比对应的目标结构参数；根据目标结构参数设计目标定向耦合器。本发明提供的定向耦合器的设计方法具有设计效率高且适用于实际加工的优势。

专利名称：用于数据中心服务器的散热结构      申请号：2024208462309     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：计算机硬件   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本实用新型公开了一种用于数据中心服务器的散热结构，涉及服务器散热领域，其技术方案要点是：包括横梁、风扇固定组件和多个风扇模组，风扇固定组件与横梁之间固定连接，风扇固定组件包括固定架和固定梁，固定架的第一固定架分体、第三固定架分体与第二固定架分体共同形成第一滑槽，在第一滑槽底端还设置有第一限位块；第一滑槽与第一限位块为一体成型并采用钣金工艺加工成型；固定梁的第一固定梁分体、第三固定梁分体与第二固定梁分体共同形成第二滑槽，在第二滑槽底端还设置有第二限位块；第二滑槽与第二限位块为一体成型并采用钣金工艺加工成型。其适用于热插拔散热风扇，加工工艺简单，装配便捷，可以实现风扇模组的快速拆装、维护。

专利名称：延迟校准方法、发送端及源同步通信系统      申请号：2023118298175     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：通信   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本发明涉及集成电路中的高速通信接口技术领域，具体公开了一种延迟校准方法、发送端及源同步通信系统，包括：并行序列发生器，用于产生第一校准码和第二校准码；滑窗电路，用于对并行序列发生器产生的第二校准码产生可调延迟值；数控延迟单元，用于对并行序列发生器产生的第一校准码产生可调延迟值；延迟校准状态机，根据第一检测模式进入位定时状态以及根据第二检测模式进入字定时状态，以及在位定时状态下根据第一误码信息对数控延迟单元的延迟值进行调整，在字定时状态下根据第二误码信息对滑窗电路的延迟值进行调整。本发明提供的发送端能够解决了数控延迟单元在发送端进行位定时和字定时的问题。

专利名称：3D硅基光端面耦合器及其制备方法      申请号：2023117825833     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：通信   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本发明涉及集成光学技术领域，具体公开了一种3D硅基光端面耦合器及其制备方法，包括：硅衬底层；波导层，形成在硅衬底层上，包括尖端波导部分和与尖端波导部分连接的单模波导部分，尖端波导部分至少包括由背离单模波导部分的一端到与单模波导部分连接的一端呈横截面宽度逐渐增加的渐变结构，且尖端波导部分与单模波导部分连接的一端的宽度与单模波导部分的宽度相同；包覆层，至少包括锥形包覆结构，锥形包覆结构包覆波导层的尖端波导部分的预设比例结构，锥形包覆结构包括截面宽度和截面高度由靠近单模波导部分的一端至背离单模波导部分的一端以预设幅度逐渐增大的渐变结构。本发明提供的3D硅基光端面耦合器能够有效提升端面耦合器耦合效率。

专利名称：垂直型锗硅光电探测器及其制备方法      申请号：2023115120984     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本发明涉及光电探测器技术领域，具体公开了一种垂直型锗硅光电探测器及其制备方法，包括：硅衬底，以及依次形成在硅衬底上的氧化层、波导层、锗层和电极层；所述波导层包括轻掺杂区域和位于轻掺杂区域两侧的重掺杂区域，所述锗层形成在所述波导层的轻掺杂区域上，所述重掺杂区域的离子掺杂浓度大于所述轻掺杂区域的离子掺杂浓度；刻蚀结构，形成在所述波导层的轻掺杂区域；所述刻蚀结构的厚度等于所述波导层的厚度，且所述刻蚀结构的等效长度小于锗层的长度。本发明提供的垂直型锗硅光电探测器能够有效提升探测器的带宽。

专利名称：高效耦合的硅基异质集成半导体光放大器结构及制备方法      申请号：2023114618579     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本发明公开了高效耦合的硅基异质集成半导体光放大器结构及制备方法，其中，器件结构包括：衬底层，包括硅衬底层和埋氧SIO2层；硅波导，位于衬底层之上，包括第一硅波导部分和第二硅波导部分，沿预设方向排布，第一硅波导部分和第二硅波导部分之间间隔预设距离；半导体光放大器，底部设置有预设高度的卡槽结构，以通过卡槽结构两侧的槽壁使半导体光放大器卡扣在所述第一波导部分、第二波导部分及二者之间的间隙的上方；卡槽的宽度不低于硅波导的宽度，卡槽的高度不低于硅波导的厚度；覆盖层，位于半导体光放大器之上，用于集成SOA和硅波导，并保护半导体光放大器免受大气中水、氧的侵袭。本方案，集成工艺较为简单，且不存在浪费SOA外延材料的现象。

专利名称：一种用户服务器集群环境部署管理系统及方法      申请号：2023113962920     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：计算机硬件   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本发明提出一种用户服务器集群环境部署管理系统方法，涉及服务器部署的技术领域，通过运行在远端管理器上的远端控制终端子系统为服务器集群一次性全部部署运行在本地控制平台子系统，并使其开机自启动，无需逐一控制并配置，提高了控制和部署的效率，将管理员向远端控制终端子系统输入的服务器配置信息打包为配置结构数据报文，并发送至所有服务器，运行在所有服务器上的本地控制平台子系统接收配置结构数据报文并解析，根据解析结果调用配置管理模块中的配置管理子模块，完成配置管理，可定制化程度高，解决了部署多台服务器或大规模服务器困难的问题，便于管理、维护多台服务器或大规模服务器。

专利名称：一种大电流驱动可调输出电压范围的数模转换电路      申请号：2023113536711     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电路板   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本发明公开了一种大电流驱动可调输出电压范围的数模转换电路，涉及数模转换电路领域，其技术方案要点是：包括串行接口、数模转换模块、可调电压输出模块和大电流驱动输出模块；其中，可调电压输出级单元，负责根据电平偏移模拟信号对第一模拟信号进行电平偏移并进行可调放大以产生第二模拟信号；大电流驱动输出模块，负责根据第二模拟信号的电压和负载的实际电阻适配电流输出范围，包括并联的多个电流输出单元，每个所述电流输出单元的输入端与可调电压输出级单元的输出端连接，每个所述电流输出单元的输出端与负载连接，每个电流输出单元具有预设的电流输出范围，大电流驱动输出模块对负载的电流输出范围为多个电流输出单元的电流输出范围之和。

专利名称：硅基片上异质集成III-V族有源器件及其制备方法      申请号：2023112488528     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本发明涉及硅基光电异质集成技术领域，具体公开了一种硅基片上异质集成III‑V族有源器件及其制备方法，包括：硅片基底；硅波导，形成在硅片基底上；III‑V族有源器件，朝向硅片基底的表面形成凹槽结构，以容纳硅波导，凹槽结构的宽度不小于硅波导的宽度，深度不小于目标深度；薄膜覆盖层，形成在硅片基底上，其厚度全部覆盖硅波导且至少部分覆盖所述III‑V族有源器件；第一金属电极，一端与凹槽结构的端面接触，另一端延伸至薄膜覆盖层表面；第二金属电极，位于III‑V族有源器件背离硅片基底的表面。本发明提供的硅基片上异质集成III‑V族有源器件能够提高III‑V族有源器件与硅波导的耦合效率且工艺难度低。

专利名称：基于HLS实现二维DOA估计的方法、装置及存储介质      申请号：2023111472467     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：通信   相似专利 发布日：2025/07/15  
摘要： 本发明涉及阵列信号处理技术领域，具体公开了一种基于HLS实现二维DOA估计的方法、装置及存储介质，包括：获取阵列回波信号；调用波达方向估计算法，并根据HLS优化指令组合对波达方向估计算法的计算过程进行优化处理以形成IP核，第一优化指令组对协方差矩阵求解的过程进行优化获得协方差矩阵，第二优化指令组对特征分解的过程进行优化获得信号特征，第三优化指令组对峰值搜索的过程进行优化获得波达方向；波达方向估计算法至少包括协方差矩阵求解、特征分解和峰值搜索；调用并运行IP核，以完成对阵列回波信号的二维DOA估计。本发明提供的基于HLS实现二维DOA估计的方法能够降低硬件实现复杂度并提升实时性。