本发明公开了一种Te/PbTe异质结纳米薄膜的制备方法。利用电沉积的方法将PbTe沉积在电极表面，形成一种载体薄膜，把电极浸入0.1mol/L的NaNO3溶液中，再利用电化学方法氧化电极，最后取出电极，电极上就氧化出Te/PbTe异质结纳米薄膜。本发明方法制备过程非常高效简单，且所制得的Te/PbTe异质结纳米薄膜相比PbTe纳米薄膜具有更高的光电转换效率，成本低廉，易于大规模推广生产。
📄 2017101052420
📂 H01L21_368
👤 桂林理工大学
📅 2017-02-26
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种用于光电器件的NiO半导体的制备方法。本发明的制备方法，采用化学沉淀技术制备均一、高结晶度的NiO纳米颗粒，利用双氧水和冷冻干燥处理工艺，并过滤控制粒径大小，再分散到溶剂中，获得稳定的极性和非极性NiO胶体分散系，有利于在制备光电器件时采用简单的低温旋涂法获得高质量的NiO半导体。双氧水能够改善NiO表面电位分布，提高纳米颗粒的稳定性，减小团聚，同时提高NiO纳米颗粒中Ni3+的含量，提高NiO半导体的电导率。通过反复冷冻和超声处理工艺，保证超声处理总时长达6~8小时，减少颗粒团聚，提高NiO纳米分散系的稳定性。
📄 202410815796X
📂 H01L21_368
👤 山东科技大学
📅 2024-06-24
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