发明专利已授权

SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置及方法

📄 申请号：CN201910470483.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-05-31

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_304

IPC 分类号

H01L21_304 , H01L21_306 ,

技术画像

所属领域

电化学机械抛光电化学机械抛光超声辅助加工碳化硅晶片加工

应用场景

半导体晶圆制造, 碳化硅衬底加工, 精密表面加工, 电力电子器件制造

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摘要

本发明公开了一种SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置及方法，SiC单晶片和不锈钢电极分别与脉冲电源的正极和负极相连，在抛光液中构成闭合回路，晶片作为阳极发生阳极氧化生成一层氧化膜，在通过抛光垫和磨粒机械性地去除氧化层该方法抛光材料去除效率高，机械抛光不会对SiC单晶基材造成损失；且不会消耗大量电能，节能环保，另外本发明加工装置简单，加工方法易实现，适合大范围推广使用。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20210406

✅ 授权

20190927

?? 实质审查的生效：

20190903

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：24 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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