电化学机械抛光 - 专利交易市场|柿子坊知识产权运营平台

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本发明公开了一种SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置及方法，SiC单晶片和不锈钢电极分别与脉冲电源的正极和负极相连，在抛光液中构成闭合回路，晶片作为阳极发生阳极氧化生成一层氧化膜，在通过抛光垫和磨粒机械性地去除氧化层该方法抛光材料去除效率高，机械抛光不会对SiC单晶基材造成损失；且不会消耗大量电能，节能环保，另外本发明加工装置简单，加工方法易实现，适合大范围推广使用。

📄 2019104704834 📂 H01L21_304 👤 西安理工大学 📅 2019-05-31

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SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置及方法

2019104704834 · 西安理工大学

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