发明专利 已授权

散热集成半导体晶体管及其制备方法

📄 申请号:CN202010163797.2 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2020-03-10
公开号
CN111430242B
公开日
2022-07-12
申请人
杭州晶驰机电科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

消费电子, 新能源汽车, 工业自动化, 数据中心, 功率转换

摘要

本发明公开一种散热集成半导体晶体管及其制备方法,该方法包括步骤:在半导体衬底的正面沉积电极层,形成半导体晶体管;对半导体晶体管的表面进行预处理,以增加半导体晶体管表面的形核密度;在半导体晶体管的表面沉积纳米级金刚石层;在纳米级金刚石层的表面沉积微米级金刚石层,形成散热集成半导体晶体管。通过本发明方案,可以有效提升半导体晶体管的散热效率,通过实验表明,相同尺寸下,使用金刚石集成设计的半导体晶体管将拥有更大的功率密度。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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