本实用新型属于三极管技术领域，公开了一种用于防止引脚损坏的三极管，包括三极管主体，所述三极管主体的底部安装有第一引脚、第二引脚和第三引脚，且第二引脚位于第一引脚和第三引脚之间，所述三极管主体的下方设置有边缘弧板，且边缘弧板的背壁安装有背板，所述边缘弧板的底壁开设有槽口，所述边缘弧板内壁的两端均安装有滑块，本实用新型设置了边缘弧板，且边缘弧板的底壁共开设了三个槽口，边缘弧板的背壁安装了背板，使用时，将边缘弧板安装在三极管主体的下方，使得第一引脚、第二引脚和第三引脚位于槽口中，借助边缘弧板和背板形成的保护结构来保护三极管的引脚，从而避免在投入使用前引脚损坏的情况。
📄 2022204739991
📂 H01L23_48
👤 深圳市圳汉欣电子有限公司
📅 2022-03-04
本发明涉及一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件，属于半导体器件技术领域。该器件在栅极的多晶硅掺杂区和漏极N+区之间加入P‑pillar区形成了超结延伸栅，通过引入超结延伸栅，使得器件在正向导通情况下，栅极加正电压并将电压延伸至整个P‑pillar，器件在漂移区内靠近氧化层区域形成了电子积累区，从而降低了器件比导通电阻、提高了跨导；而在阻断耐压的情况下，器件漏极加高压，P‑pillar区和漂移区之间会产生相互耗尽的作用，共同调制优化MOSFET器件漂移区的电场分布，使器件得到较高的击穿电压BV，从而获得更高的器件优值，最终改善器件的静态性能。
📄 2025103480189
📂 H10D30_66
👤 重庆邮电大学
📅 2025-03-24
本发明公开了一种双结单光子雪崩二极管，该二极管的特点是在器件中形成双雪崩区，利用重掺杂n型埋层和高压p阱形成的PN结作为深雪崩区，高压p阱和n阱形成浅雪崩区。该双结二极管结构能够提高对近红外光子的探测效率，提高器件整体的光子探测效率，实现单光子的宽光谱响应，为实现低成本、高探测效率的激光测距、三维成像等提供可行的方案。本发明还公开一种双结单光子雪崩二极管探测器及制作方法。
📄 2022111364699
📂 H01L31_0352
👤 南京邮电大学
📅 2022-09-19
本实用新型公开了制冷片技术领域的一种半导体制冷片，包括制冷片体和连接线，所述制冷片体一侧底部对称固定连接有连接线，所述制冷片体边部固定安装有限位安装组件，所述限位安装组件包括固定框、滑块、安装座、固定螺栓、限位块和保护罩，所述制冷片体外侧两边部均套接有固定框，所述固定框一侧边部对称嵌入滑动连接有滑块，两个所述滑块一侧共固定连接有安装座，本实用新型通过限位安装组件，便于工作人员对安装座位置进行移动限定，从而便于工作人员根据需要对安装座位置进行调整，进而便于工作人员对制冷片体进行安装处理，同时，便于工作人员对安装时所使用的固定螺栓进行保护处理，也能够对连接线多余部位进行限位处理。
📄 2023219126805
📂 F25B21_02
👤 力度工业智能科技(苏州)有限公司
📅 2023-07-20
本实用新型涉及半导体载盘领域，且公开了一种可适用不同规格半导体元件的半导体载盘，包括载盘座，所述载盘座的顶部设置有载盘主体，所述载盘主体的顶部对称设置有L型夹板，所述载盘座的两端设置有调节机构，所述L型夹板的内部设置有限位机构，该可适用不同规格半导体元件的半导体载盘，将需要加工的晶圆的放在载盘主体上，然后利用旋钮带动双向丝杆，在调节槽内调节块的作用下，配合L型连接臂带动L型夹板向中间移动夹住晶圆，过程中夹持垫先与晶圆接触，并根据晶圆尺寸使多个夹块向分别活动槽内压缩弹簧，以此来对晶圆夹持固定，便于后续加工，解决了现有的载带盘难以根据元件尺寸稳定固定加工的问题。
📄 2024226687457
📂 H10P72_10
👤 义乌市续辰电子商务有限公司
📅 2024-11-04
本发明公开了一种冷热补偿的半导体耦合结构及其真空温控测试平台和方法，冷热补偿的半导体耦合结构包括散热底座、多级TEC半导体片、耦合片、PTC半导体片、平台台面和温度传感器；真空温控测试平台包括真空腔室；真空腔室内部固定有冷热补偿的半导体耦合结构；真空腔室外部具有智能温控系统。平台台面的温控调节速度快，可以实现快速升温降温，加热和制冷模块进行耦合的工作模式，起到对过冲温度进行快速自动调节的作用，避免了传统单一加热或制冷模式变温快时，温度过冲大，而温度过冲小时变温又慢的问题。
📄 2021103678613
📂 G01R31_26
👤 深圳万知达信息咨询有限公司
📅 2021-04-06
本发明公开了一种对称的氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构及其制备方法，HEMT结构包括向上晶面为非极性面的GaN层、掩膜层、GaN立体三角岛、AlxGa1‑xN层、绝缘介质层以及各功能电极。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛，此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构，基于此特点成对制备的HEMT具有原子层面的一致性，并且左右对称的半极性面AlGaN/GaN异质结能够产生浓度方便控制的二维电子气(2DEG)，实现高质量、高性能、高一致性的成对GaN基HEMT，可以应用在镜像电流源、差分放大等电路中，相较于传统器件具有更好的一致性和稳定性。
📄 2024114283211
📂 H10D62_40
👤 南京信息工程大学
📅 2024-10-14
本发明揭示了一种LIGBT型高压ESD保护器件，包括堆叠设置的衬底层及埋氧层，埋氧层上方覆盖有漂移层，漂移层的上端设有漏极阱与源极阱，漂移层的上端面覆盖设置有多晶硅栅极，漂移层的上端形成有掺杂区，掺杂区位于漏极阱与源极阱之间，漏极阱的上端形成有漏极重掺杂区，源极阱的上端分别形成有第一源极重掺杂区、第二源极重掺杂区以及第三源极重掺杂区，漂移层的上端面还覆盖有多个用于不同掺杂区域间隔离的场氧隔离区；漏极重掺杂区与漏极外接导线相连，掺杂区与第三源极重掺杂区导线相连，多晶硅栅极、第一源极重掺杂区以及第二源极重掺杂区导线相连接地。本发明能够显著降低器件的触发电压、提高维持电压，满足器件的ESD防护要求。
📄 2018109929897
📂 H01L27_02
👤 南京邮电大学
📅 2018-08-29
本发明涉及一种外部PMOS触发SCR‑LDMOS结构的ESD防护器件，新SCR‑LMMOS结构在正向ESD脉冲作用下，一方面，利用PMOS触发电压低的优点，新结构用PMOS取代常规SCR‑LDMOS中的PN结反向击穿的触发机制，降低器件的触发电压；另一方面由外部PMOS触发SCR‑LDMOS的结构中存在新寄生晶体管可以箝拉器件内部电压，抑制器件内部的正反馈机制，提高器件的维持电压；同时新结构中存在两条ESD电流泄放通道，使得器件的电流泄放能力提高。
📄 2017109751226
📂 H01L27_02
👤 南京邮电大学
📅 2017-10-19
本发明公开了基于SOI工艺的背栅漏/源半浮前栅N-MOSFET射频开关零损耗器件，将SOIPMOS器件漏/源区进行改造，将源（或漏）区的结深设置略小于P型顶层硅厚度，以背栅漏半浮为例，源区结深较深，漏区的结深设置略小于P型顶层硅厚度，形成寄生二极管，从而对漏极施加直流信号的隔离，通过体、背栅偏置设置、使得背栅MOSFET沟道进入导通状态，由于背栅MOSFET工作于导通状态，该结构对前栅MOSFET开态下的阻抗形成调整、使前栅N-MOSFET作为开关开态应用下的射频损耗降低，甚至形成零损耗射频开关；当器件自热效应产生、导致背栅MOSFET形成负阻抗时，或当背栅MOSFET工作于放大状态时，则前栅耦合信号可直接得到放大，并补偿前栅开态下的能量损耗，形成超低、零损耗射频开关。
📄 2013107326750
📂 H01L29_78
👤 杭州电子科技大学
📅 2013-12-26
本发明公开了一种基于SOI工艺的漏源区介质/PN结隔离前栅P/N-MOSFET射频开关超低损耗器件，将SOIP(N)-MOSFET器件源漏区进行改造，在源和漏区制造PN结或者介质电容，源区结深较深，漏区中间植入N（P）型掺杂或者介质，形成PN结或介质电容，形成对在漏极施加直流电压的隔离，通过体、背栅偏置设置、通过体、背栅偏置设置、使得背栅MOSFET沟道进入导通状态，前栅P(N)-MOSFET漏区交流信号会耦合到背栅MOSFET上，由于背栅MOSFET工作于导通状态，该结构对前栅MOSFET开态下的阻抗形成调整、使前栅MOSFET作为开关开态应用下的射频损耗降低；当器件自热效应产生、导致背栅MOSFET形成负阻抗时，当背栅MOSFET工作于放大状态时，前栅耦合信号可直接得到放大，并补偿前栅开态下的能量损耗，形成超低、零损耗射频开关。
📄 2013107511380
📂 H01L29_06
👤 杭州电子科技大学
📅 2013-12-30
本发明公开了基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅P-MOSFET射频开关超低损耗器件，将SOIP-MOSFET器件源(漏)区进行改造，在源(漏)区形成PN结或者介质电容，源区结深较深，漏区中间制造P型掺杂或者介质，形成PN结或介质电容，形成对在漏区施加直流偏置的隔离，通过体、背栅偏置设置、使得背栅MOSFET沟道进入导通，前栅P-MOSFET漏区交流信号耦合到背栅MOSFET上，由于背栅MOSFET工作于导通状态，该结构对前栅MOSFET开态下的阻抗形成调整、使前栅P-MOSFET作为开关开态应用下的射频损耗降低，超低损耗射频开关；当器件自热效应产生、导致背栅MOSFET形成负阻抗时，或当背栅MOSFET工作于放大状态时，则前栅耦合信号可直接得到放大，并补偿前栅开态下的能量损耗，使得损耗进一步降低。
📄 2013107515714
📂 H01L29_78
👤 杭州电子科技大学
📅 2013-12-30
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