发明专利已授权

一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法

📄 申请号：CN202010584587.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-06-24

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_48

IPC 分类号

H01L21_48 , H01L21_04 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体封装工艺芯片键合技术

应用场景

新能源汽车, 光伏发电, 储能系统, 工业变频器, 轨道交通

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摘要

本发明公开了一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法，通过在SiC功率芯片表面形成具有若干金属图形的金属层，使得键合后键合点与芯片表面铝金属化形成三维连接结构，提升芯片功率循环能力。金属图形为条状，金属层厚度小于或等于键合线直径，金属图形之间的间距大于键合线直径。本发明在不改变键合工艺的情况下提升了键合线功率循环能力，提高器件使用寿命。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：26 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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