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一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法

Name: 一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法
Brand: 西安理工大学
SKU: 2020105845870
Availability: InStock

📄 申请号：CN202010584587.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-06-24

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_48

IPC 分类号

H01L21_48 , H01L21_04 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体封装工艺芯片键合技术

应用场景

新能源汽车, 光伏发电, 储能系统, 工业变频器, 轨道交通

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摘要

本发明公开了一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法，通过在SiC功率芯片表面形成具有若干金属图形的金属层，使得键合后键合点与芯片表面铝金属化形成三维连接结构，提升芯片功率循环能力。金属图形为条状，金属层厚度小于或等于键合线直径，金属图形之间的间距大于键合线直径。本发明在不改变键合工艺的情况下提升了键合线功率循环能力，提高器件使用寿命。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号：

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：51 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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