发明专利已授权

一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法

📄 申请号：CN202311594680.X 📄 发布日：2026/06/23

著录项目信息

申请日

2023-11-28

公开号

CN117316773B

公开日

2024-02-13

申请人

济南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_34

IPC 分类号

H01L21_34 , H01L29_24 , H01L29_872 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件二维材料晶体管制造

应用场景

集成电路, 逻辑器件, 高频电子器件, 低功耗电子设备

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明公开了一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术领域。本发明采用电子束蒸发法实现Pd薄膜的构建，采用化学气相沉积法生长，并通过化学生长窗口调节，实现亚厘米级别的WSe2的制备，然后通过湿法转移，将WSe2转移至Pd薄膜上，使得WSe2与Pd形成范德华界面，实现肖特基接触，通过Pd接触构建的Pd/WSe2肖特基晶体管，其转移特性的开/关比提升了100倍，截止电流减小到10‑9 A,展现出更加优异的晶体管性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种氧化铪无机纤维及其制备方法

当前第 / 件

一种纺织机械零配件生产用装置及其方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L21_34)

H01L21_02 H01L21_027 H01L21_04 H01L21_18 H01L21_20 H01L21_208 H01L21_28 H01L21_288 H01L21_302 H01L21_304 H01L21_306 H01L21_3065 H01L21_311 H01L21_324 H01L21_329 H01L21_331 H01L21_335 H01L21_336 H01L21_34 H01L21_368 H01L21_48 H01L21_50 H01L21_54 H01L21_56 H01L21_60 H01L21_603 H01L21_66 H01L21_67 H01L21_673 H01L21_677 H01L21_68 H01L21_683 H01L21_687 H01L21_762 H01L21_768 H01L21_78 H01L21_82 H01L21_8238 H01L21_8244 H01L21_98 覆盖40个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：57 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)

一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法

著录项目信息

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H01L21_34)

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

一种用于柔性场效应晶体管的聚合物介电层的制备方法

一种变频感应加热电路

一种应用于柔性显示领域的OFET器件

服务项目

资源中心

关于柿子坊