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本发明涉及一种纳米线阵列及其制备方法，具体是指一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在Si衬底上沉积一层金薄膜，然后将得到的金薄膜进行球化退火从而得到金颗粒，最后在金颗粒上生长Ga2O3纳米线阵列。本发明的优点是：所制备的Ga2O3纳米线阵列分布均匀，纳米线的长径比可控；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好等特点，有望在半导体纳米线阵列器件中得到应用。

📄 2016101430133 📂 H01L29_24 👤 浙江理工大学 📅 2016-03-13

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一种氧化镓纳米线阵列及其制备方法

2016101430133 · 浙江理工大学

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