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本实用新型公开了一种凹槽型GaN基肖特基二极管，包括由下至上依次层叠设置的衬底、GaN沟道层、AlGaN势垒层及表面钝化层，还包括阳极，设置在表面钝化层上，且其底部依次穿过表面钝化层、AlGaN势垒层后与GaN沟道层相接触，所述阳极与所述GaN沟道层形成肖特基接触；阴极，设置在表面钝化层上，且围设在所述阳极的外周，所述阴极与所述阳极之间存在间距，所述阴极的底部依次穿设表面钝化层、AlGaN势垒层后与GaN沟道层相接触，所述阴极与所述GaN沟道层形成欧姆接触。该凹槽型GaN基肖特基二极管，具有较小的开启电压、较低的导通电阻和较大的正向电流。

本实用新型公开了一种GaN基肖特基二极管，包括由下至上依次层叠设置的硅衬底、GaN沟道层、AlGaN势垒层及Si3N4表面钝化层，还包括阳极，呈T型设置在Si3N4表面钝化层上，且其底部依次穿过Si3N4表面钝化层、AlGaN势垒层后到达GaN沟道层的表面，阳极与GaN沟道层形成肖特基接触；阴极，设置在Si3N4表面钝化层上，且围设在阳极的外周，阴极与阳极之间存在间距，阴极的底部依次穿过表面钝化层、AlGaN势垒层后到达GaN沟道层内部，阴极与GaN沟道层形成欧姆接触；氟离子结构，位于GaN沟道层内，且位GaN沟道层中的二维电子气的下方，二维电子气位于GaN沟道层与AlGaN势垒层的接面处。该GaN基肖特基二极管，二维电子气浓度高，且具有击穿电压高、导通电阻低和正向电流大的特性。

本实用新型公开了一种肖特基二极管自定位封装结构，其包括：绝缘封装基体、肖特基芯片、预埋定位座、第一引脚和第二引脚，所述预埋定位座包括底板、立板、托板和压板，所述立板竖向设置在底板上，所述压板和托板上下间隔设置在立板的正面，所述肖特基芯片设置在立板的正面并位于压板和托板之间，所述第一引脚从肖特基芯片的顶部向下弯折，途径底板左端后向外延伸至绝缘封装基体左侧，所述第二引脚从肖特基芯片的底部向下弯折，途径底板右端后向外延伸至绝缘封装基体右侧。本实用新型所述的肖特基二极管自定位封装结构，提升了肖特基芯、第一引脚和第二引脚在模腔中的定位精度和位置稳定性，提升了产品的合格率。

本发明属于半导体功率器件领域，特别涉及一种氮化镓横向MIS‑肖特基混合阳极二极管。本发明公开了一种基于具有变铝组分势垒层(Al0～0.50GaN)异质结的混合阳极二极管，具体结构是在GaN层上方生长一层薄的变铝组分Al0～0.50GaN层作为势垒层，AlGaN势垒层中Al摩尔分量从0％到50％渐变。薄的变铝组分AlGaN层能够减小肖特基阳极电极到二维电子气的距离，增加沟道二维电子气浓度，并消除AlGaN/GaN异质结处导带差，进而能够降低所提出器件的开启电压和导通压降。同时阳极部分的金属‑绝缘体‑半导体结构(MIS)能够有效降低器件反向漏电流，增加器件反向耐压。

本发明公开了一种双势垒肖特基二极管，将两个肖特基接触以背靠背的方式紧密制作在同一台面(中间台面)上，以从器件层面上获得偶对称的C‑V特性和奇对称的I‑V特性，使其在制作倍频器时，输出只有奇次谐波，而没有偶次谐波，以适用于高次倍频器的制作。而且两个肖特基接触的阴极通过缓冲层连接，不需要欧姆接触，降低了器件的串联电阻，有助于提高倍频效率。本发明结构简单，并且与普通的二极管工艺完全兼容，有助于简化倍频器的设计，在毫米波及太赫兹频段倍频器的设计中具有很好的实用性。

本发明公开了一种高耐压低漏电的Ga2O3肖特基势垒二极管，包括位于底部的阴极电极，位于所述阴极电极上部的衬底，位于所述衬底上部的漂移层，其特征在于：在所述漂移层的背离衬底面设置有沟槽，所述沟槽具有底壁和侧壁，所述底壁与侧壁的转角处设置圆角；在所述沟槽表面覆盖有随形的Al2O3介电层，在所述介电层表面覆盖有随形的低功函数接触层，在所述漂移层的背离衬底的面上设置有高功函数肖特基接触；其中，所述衬底材料为Si重掺杂的Ga2O3，所述漂移层材料为Si轻掺杂的Ga2O3。采用本发明的Ga2O3肖特基势垒二极管，能够获得3.4kV高击穿电压，低至5.4mΩ.cm2导通电阻和小于1pA/cm2极低泄漏电流的器件。

本实用新型特别涉及一种轴向肖特基二极管芯片自动焊接装置，主体框架为矩形的支撑架结构，其内部底部安装有一个传动马达，传动马达通过皮带传动连接焊接轮盘；主体框架的左端安装有两个对称设置的引线上料圆振盘，引线上料圆振盘的出料口通过导轨连接设置在主体框架上的直振轨道，直振轨道的右端邻接在焊接轮盘的上方，在焊接轮盘的一侧还设置有芯片上料圆振盘，芯片上料圆振盘的出料口通过导轨连接在焊接轮盘的上方，主体框架的右端安装有焊接系统。本实用新型的装置较隧道式烧结炉缩小了占地面积，通过电加热减少对环境的污染，打破常规工艺流程，大大减少成本并提高效率。

本发明涉及一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。该三阶斜台面结终端结构包括阳极金属Ni接触区、三阶斜台面金属Ni场板、氮化层Si3N4、氧化层SiO2、N‑低浓度外延层、N+高浓度衬底、阴极金属Ni接触区。该结终端结构特点在于：阳极金属Ni接触区1和三阶斜台面金属Ni场板短接在一起，分别作为元胞区阳极和结终端金属场板。氧化层SiO2夹在氮化层Si3N4中间，形成三明治结构。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过利用三阶斜台面场板结终端区结构，能够有效地提高器件的反向击穿电压。