发明专利已授权

一种晶圆的切割方法以及单芯片封装体

📄 申请号：CN202210855891.3 📄 发布日：2026/06/02

著录项目信息

申请日

2022-07-21

公开号

CN115083903A

公开日

2022-09-20

申请人

山东中清智能科技股份有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_306

IPC 分类号

H01L21_306 , H01L21_304 , H01L21_56 , H01L23_31 , H01L23_367 ,

技术画像

所属领域

半导体封装半导体封装晶圆切割芯片封装

应用场景

集成电路制造, 芯片封装, 半导体器件生产, 电子设备制造

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摘要

本发明涉及一种晶圆的切割方法以及单芯片封装体，涉及半导体封装技术领域。在本发明的晶圆的切割过程中，通过在每个所述芯片区域的上表面形成多个分立设置的塑封固定槽，并在每个所述芯片区域的上表面形成多个分立设置的热扩散槽，使得相邻两个所述塑封固定槽之间设置至少一个热扩散槽。上述结构的设置，一方面提高单芯片封装体的散热性能，另一方面有效提高塑封层与芯片之间的接合强度，进而避免塑封层、导热块以及芯片三者之间发生剥离。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种静止同步补偿器参数优化控制方法

当前第 / 件

一种功率器件封装结构及其制备方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L21_306)

H01L21_02 H01L21_027 H01L21_04 H01L21_18 H01L21_20 H01L21_208 H01L21_28 H01L21_288 H01L21_302 H01L21_304 H01L21_306 H01L21_3065 H01L21_311 H01L21_324 H01L21_329 H01L21_331 H01L21_335 H01L21_336 H01L21_34 H01L21_368 H01L21_48 H01L21_50 H01L21_54 H01L21_56 H01L21_60 H01L21_603 H01L21_66 H01L21_67 H01L21_673 H01L21_677 H01L21_68 H01L21_683 H01L21_687 H01L21_762 H01L21_768 H01L21_78 H01L21_82 H01L21_8238 H01L21_8244 H01L21_98 覆盖40个领域

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