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一种集成电路全抗静电基座制作方法

Name: 一种集成电路全抗静电基座制作方法
Brand: 武汉芯宝科技有限公司
SKU: 2021103791550
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110379155.0 📄 发布日：2026/05/20

著录项目信息

申请日

2021-04-08

公开号

CN113257680A

公开日

2021-08-13

申请人

武汉芯宝科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_48

IPC 分类号

H01L21_48 , H01L23_60 , H01L23_498 ,

技术画像

所属领域

集成电路制造集成电路制造静电防护技术半导体封装

应用场景

集成电路制造, 半导体封装, 电子元器件, 静电防护, 芯片制造

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摘要

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种集成电路全抗静电基座制作方法。在电路基板上蚀刻出多条间距相同且相互平行的接地线；将N根长度相同的针状电极通过导电环沿与接地线垂直的方向平行固定于接地线上；注塑绝缘填充浆，并对注塑形成的基体进行边缘切割使接地线两端裸露，形成单层电极基体；重复以上操作，得到M个单层电极基体；将M个单层电极基体层叠固化为基座胚体a；环绕基座胚体镀覆导电层，形成基座胚体b；沿相邻接地线的间隙方向将基座胚体b切片，得到若干个集成电路全抗静电基座。该制作方法制作出的基座可用于集成电路与电路板相连接，使所连接集成电路的每一个引脚得到抗静电保护。这样可节省大部分用于在芯片内部制作静电防护的晶源面积，同时使芯片的安全性得到充分的保障。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN113257680A

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该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种集成电路全抗静电基座

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