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本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种集成电路全抗静电基座。包括针状电极、导电环、接地线、绝缘填充体和接地外环，针状电极为电压诱变阻膜包线，针状电极阵列分布于所述接地外环内，每行针状电极均垂直设有一条接地线，每个针状电极上均紧密套固有一个导电环，导电环与接地线导电连接，接地线两端与所述接地外环导电连接，接地外环与针状电极、导电环、接地线之间通过绝缘填充体密封固定，每个针状电极的两端均不低于所述绝缘填充体的表面。将可能进入芯片的超过300V的高压脉冲提前吸收并钳位在一个较低的电压，节省了在芯片内部大量的用于制作静电防护的晶园面积，从而大大提高晶园利用率，在降低芯片成本的同时又使芯片的安全性得到充分的保障。

本实用新型公开一种基于N型注入层的IGBT芯片，包括基板和衬底，所述基板的顶端安装有衬底，所述衬底的顶端设置有IGBT板，所述IGBT板和衬底的外侧设置有软熔铸，所述软熔铸的外侧设置有外壳B，所述外壳B的顶端贯穿有电源端子、辅助端子A和辅助端子B，首先需要向内按压按压开关，在按压开关之后内部的弹簧就会收缩，接着就会带动连接杆的上端围绕转轴想内运动，这时候连接杆的下端就会围绕转轴向外移动，这时候连接杆的下端就会带动橡胶防滑垫向外移动，这时候把外壳B放在内部然后松开便完成了，这样在运送的时候，两个相邻原件之间就不会有静电发生，这样在运送的时候就会更加的安全，这样还能防止在运送的时候两个元件之间的碰撞。