发明专利已授权

一种集成电路全抗静电基座

📄 申请号：CN202110378364.3 📄 发布日：2026/05/20

著录项目信息

申请日

2021-04-08

公开号

CN113257793B

公开日

2022-09-06

申请人

武汉芯宝科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L23_60

IPC 分类号

H01L23_60 , H01L23_498 ,

技术画像

所属领域

集成电路制造集成电路制造静电防护电子封装

应用场景

集成电路封装, 芯片静电防护, 半导体器件制造, 电子元器件装配

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摘要

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种集成电路全抗静电基座。包括针状电极、导电环、接地线、绝缘填充体和接地外环，针状电极为电压诱变阻膜包线，针状电极阵列分布于所述接地外环内，每行针状电极均垂直设有一条接地线，每个针状电极上均紧密套固有一个导电环，导电环与接地线导电连接，接地线两端与所述接地外环导电连接，接地外环与针状电极、导电环、接地线之间通过绝缘填充体密封固定，每个针状电极的两端均不低于所述绝缘填充体的表面。将可能进入芯片的超过300V的高压脉冲提前吸收并钳位在一个较低的电压，节省了在芯片内部大量的用于制作静电防护的晶园面积，从而大大提高晶园利用率，在降低芯片成本的同时又使芯片的安全性得到充分的保障。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

多层瞬变高压脉冲能量吸收双对称矩阵板和电路板及其制造方法

当前第 / 件

一种集成电路全抗静电基座制作方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L23_60)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：79 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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