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本发明涉及一种嵌入式高散热扇出型封装结构，包括均带有凸点的芯片、开有凹槽的石墨烯载板、塑封层、固定层、阻焊层、再布线层、介电层以及焊球；所述介电层覆盖在所述石墨烯载板上，所述再布线层覆盖在所述介电层上，所述芯片的背面通过所述固定层粘结在所述石墨烯载板的凹槽内，所述芯片与所述再布线层通过引线键合，所述塑封层包裹在所述芯片上，所述焊球连接在所述再布线层的上方，所述阻焊层设置在所述再布线层的上方。本发明的嵌入式高散热扇出型封装结构为芯片的扇出型封装提供了稳定的支撑，而且大大提高了封装结构的散热效果。

本发明涉及一种高散热扇出型封装结构，包括带有凸点的芯片、石墨烯载板、介电层、再布线层、塑封层、散热模块以及焊球；所述石墨烯载板的上下两侧均设置有所述再布线层，所述介电层设置在所述石墨烯载板与所述再布线层之间，所述石墨烯载板上贯穿有铜柱，所述再布线层之间通过所述铜柱进行连接，所述芯片设置在所述石墨烯载板的上方，位于所述石墨烯载板上方的再布线层与所述芯片的凸点连接，位于所述石墨烯载板下方的再布线层与所述焊球连接，所述塑封层包裹在所述芯片的外侧，所述散热模块设置在所述塑封层上。本发明的高散热扇出型封装结构为芯片扇出封装结构的高密度互连提供了平台，同时大幅提高芯片封装结构的散热能力。

本发明提供了一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装，涉及芯片封装技术领域；该层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装包括两层层叠设置的具有上铜层、氮化硅陶瓷层以及下铜层的基板；其中，下基板包括的上铜层包括下基板上桥铜层和下基板下桥铜层，上基板包括设置于所述下基板上桥铜层上的上桥上基板，以及设置于所述下基板下桥铜层上的下桥上基板；所述下基板上桥铜和所述下基板下桥铜层上电连接设置有多个碳化硅芯片；如此实现电流在空间上的电路流动，从而抵消杂散电感。

本发明涉及半导体器件技术领域，且公开了一种高速电子开关半导体器件，包括半导体，所述半导体的外壁开设有滑槽一，所述滑槽一的外壁固定连接有直角板，还包括：连接机构，所述连接机构包括活动连接在滑槽一内壁的连接板，所述连接板顶部的内壁固定连接有嵌入板，所述嵌入板的外壁与直角板活动连接，所述嵌入板的内壁固定连接有锡料板一，通过设置连接机构，将焊料预置于连接界面内部，在焊接过程中无需额外补充外部焊料，这种结构使得焊锡能够均匀分布于外壳与电路板之间的连接界面，有效增强了连接部位的机械强度和电气导通性能，降低了传统焊接方式中常见的虚焊、假焊等质量缺陷，从而提升了设备的连接可靠性和长期运行稳定性。

本申请涉及封装领域，尤其涉及一种QFN封装结构、射频收发模组结构及电子设备。QFN封装结构包括基板、EPAD焊接区、芯片和QFN封装引脚，EPAD焊接区设置于基板的表面，芯片设置于EPAD焊接区的表面；QFN封装引脚围绕EPAD焊接区并且设置于基板的表面；QFN封装引脚用于与QFN封装结构的外部的器件连接；QFN封装引脚与芯片连接；芯片设置于EPAD焊接区的非中心位置的表面；芯片的射频发射引脚通过至少三根第一绑定线连接至QFN封装引脚的射频发射引脚。芯片的射频发射引脚通过至少三根第一绑定线连接至所述QFN封装引脚的射频发射引脚，使得第一绑定线与EPAD焊接区的寄生电容较大，从而增强对谐波的滤波作用，从而减少谐波对外的辐射。

提供一种集成装置及其制备方法，所述集成装置包括：基板，所述基板的上表面设置有至少一个第一焊盘；硅层，所述硅层设置在所述基板的上方，所述硅层设置有至少一个导电结构，所述至少一个导电结构分别对应所述至少一个第一焊盘；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述硅层的上方，所述第一绝缘层内设置有第一布线层，所述至少一个第一焊盘分别通过所述至少一个导电结构连接至所述第一布线层。基于以上技术方案，能够有效降低所述集成装置的厚度和成本。