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实用新型
已授权
一种新型半导体刻蚀装置
📄 申请号:CN202120962168.6
📄 发布日:2026/04/30
著录项目信息
申请日
2021-05-07
公开号
CN215377372U
公开日
2021-12-31
申请人
尚雅派斯科技(无锡)有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
H01L21_67
IPC 分类号
H01L21_67
,
H01L21_263
,
技术画像
所属领域
等离子体刻蚀
等离子体刻蚀
反应离子刻蚀
半导体制造设备
应用场景
半导体芯片制造, 集成电路制造, 晶圆加工, 半导体器件制造, 微机电系统制造
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摘要
本实用新型提供一种新型半导体刻蚀装置,包括操作台、支撑板、底座、刻蚀针、冷气管和热气管,支撑板活动连接于操作台的后方,支撑板底部的前端固定连接有底座,操作台的下端设有刻蚀针、冷气管和热气管,且刻蚀针、冷气管和热气管均与操作台呈活动连接,并且刻蚀针、冷气管和热气管分别为左中右的顺序排列分布,操作台的前端固定连接有控制面板,底座上方的左右两端分别固定连接有放置台,操作台内部的右上端固定连接有冷凝器,且操作台内部的左上端固定连接有热风器。该种新型半导体刻蚀装置通过结构的改进,可以利用装置同时对两个半导体器件进刻蚀,从而使本装置比现有的刻蚀装置的工作效率更高,实用性强。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种半导体耐高温测试装置
当前第 / 件
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