发明专利 已授权

一种大口径光学元件的等离子体刻蚀方法

📄 申请号:CN201910807901.4 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2019-08-29
公开号
CN112447473B
公开日
2022-08-02
申请人
西安工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

光通信, 激光系统, 精密光学仪器, 半导体设备

摘要

本发明公开一种大口径光学元件的等离子体刻蚀方法,该方法借鉴了射频磁控溅射镀膜技术中的射频反常辉光放电方式,可形成高密度大面积的等离子体,利用该装置耦合正交磁场的定向移动,可驱动等离子体产生定向的运动,实现光学元件表面由线及面的加工。引入活性气体被电离激发,利用真空系统固有的气体分配器所产生的流导场,引导自由基作用于工件表面,亦会带来材料刻蚀效率的提高。而通过射频电场的参数(如功率等),磁场的参数(如各磁极大小的变化,包括平衡和非平衡模式以及磁极定向移动的速度等),以及气体相关参数(包括气体的种类,流量和压力等),可对等离子体的种类,密度和分布进行精确的调控,实现了光学元件表面的高效率大面积等离子体抛光。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H01J37_32)

议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:29 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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