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本发明公开一种大口径光学元件的等离子体刻蚀方法，该方法借鉴了射频磁控溅射镀膜技术中的射频反常辉光放电方式，可形成高密度大面积的等离子体，利用该装置耦合正交磁场的定向移动，可驱动等离子体产生定向的运动，实现光学元件表面由线及面的加工。引入活性气体被电离激发，利用真空系统固有的气体分配器所产生的流导场，引导自由基作用于工件表面，亦会带来材料刻蚀效率的提高。而通过射频电场的参数（如功率等），磁场的参数（如各磁极大小的变化，包括平衡和非平衡模式以及磁极定向移动的速度等），以及气体相关参数（包括气体的种类，流量和压力等），可对等离子体的种类，密度和分布进行精确的调控，实现了光学元件表面的高效率大面积等离子体抛光。

本实用新型提供一种新型半导体刻蚀装置，包括操作台、支撑板、底座、刻蚀针、冷气管和热气管，支撑板活动连接于操作台的后方，支撑板底部的前端固定连接有底座，操作台的下端设有刻蚀针、冷气管和热气管，且刻蚀针、冷气管和热气管均与操作台呈活动连接，并且刻蚀针、冷气管和热气管分别为左中右的顺序排列分布，操作台的前端固定连接有控制面板，底座上方的左右两端分别固定连接有放置台，操作台内部的右上端固定连接有冷凝器，且操作台内部的左上端固定连接有热风器。该种新型半导体刻蚀装置通过结构的改进，可以利用装置同时对两个半导体器件进刻蚀，从而使本装置比现有的刻蚀装置的工作效率更高，实用性强。