发明专利已授权

射频三极管及其制作方法

📄 申请号：CN201711396254.X 📄 发布日：2026/08/24

著录项目信息

申请日

2017-12-21

公开号

CN108109915B

公开日

2020-06-09

申请人

深圳市福斯特半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_331

IPC 分类号

H01L21_331 , H01L29_73 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

无线通信, 移动通信基站, 射频前端, 雷达系统, 卫星通信

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摘要

本发明涉及一种射频三极管及其制作方法。所述制作方法获得的射频三极管包括硅衬底、形成于所述硅衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的两个第一P型高掺杂区、形成于所述两个P型高掺杂区之间的P型低掺杂区、形成于所述P型高掺杂区两侧的所述N型外延层上且具有尖角的场氧化层、形成于所述P型低掺杂区表面的N型区域、依序形成于所述场氧化层及所述P型高掺杂区上方的第一多晶硅与二氧化硅层、形成于所述P型高掺杂区邻近所述P型低掺杂区的侧壁、所述第一多晶硅与二氧化硅的顶部及侧壁上的氮化硅层及另一二氧化硅层、及形成于所述N型区域上的第二多晶硅。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200529

⏳ 专利申请权的转移：

20200609

✅ 授权

20180626

?? 实质审查的生效：

20180601

📄 公开

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