发明专利已授权

全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法

📄 申请号：CN201810437561.6 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2018-05-09

公开号

CN108630748B

公开日

2020-05-29

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_737

IPC 分类号

H01L29_737 , H01L29_06 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

异质结双极晶体管异质结双极晶体管 SiGe半导体材料太赫兹器件

应用场景

太赫兹通信, 射频前端, 高速集成电路, 无线通信, 雷达探测

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摘要

一种全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在N‑Si衬底两端形成STI隔离区；掺杂As形成N+亚集电区；在衬底表面淀积绝缘介质；外延一层本征单晶硅层作为集电区；非选择性外延Si缓冲层、掺C的Si1‑xGex层、Si帽层；在Si帽层上面依次淀积氧化层‑氮化层‑氧化层；选择性注入集电极；生长发射极内侧墙；淀积多晶硅发射极；生长发射极外侧墙；在非选择性外延层结构的两端采用嵌入式SiGe技术选择性外延Si1‑yGey层；采用发射极作掩膜淀积抬升的多晶硅非本征基区；刻蚀以定义基极和发射极的位置；淀积硅化物形成发射极、基极和集电极接触。本发明提高载流子的迁移率，提高器件工作速和集电区击穿电压，降低有源区的沟道宽度，缩小器件横向尺寸，抑制电流集边效应。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种由四自由度混联机构组成的五轴混联机器人

当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：87 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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