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一种太赫兹SOI复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法

📄 申请号：CN201810437234.0 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2018-05-09

公开号

CN108649067B

公开日

2020-12-01

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_737

IPC 分类号

H01L29_737 , H01L29_08 , H01L29_10 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件异质结双极晶体管 SiGe技术

应用场景

太赫兹通信, 高频电子器件, 集成电路

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摘要

本发明公开了一种太赫兹SOI复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在SOI结构两端形成STI隔离区结构；在衬底表面淀积绝缘介质用以定义有源区位置；在有源区依次外延双轴应变Si1‑xGex基区和Si帽层；利用自对准工艺在所述有源区进行刻蚀，并选择性外延Si1‑yGey层；在器件表面淀积氮化物和氧化层，在氧化层上淀积多晶硅作为发射极；刻蚀氮化物，进而选择性外延多晶SiGe作为非本征基区；分别刻蚀发射极、非本征基区和集电区以形成发射极、基极和集电极接触。本发明能够提高器件的高频特性，由于采用了SOI结构，提高了集电结的击穿电压，进而提高器件的功率特性，可实现混合高压高速器件的集成。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

获得正交各向异性磨损量的方法

当前第 / 件

多尺度时空卷积深度信念网络的风力发电机故障诊断方法

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：83 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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