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GAA结构的异质结双极晶体管及其制备方法

Name: GAA结构的异质结双极晶体管及其制备方法
Brand: 燕山大学
SKU: 2021114935160
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111493516.0 📄 发布日：2026/09/09

著录项目信息

申请日

2021-12-08

公开号

CN114284338B

公开日

2025-04-29

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D62_10

IPC 分类号

H10D62_10 , H10D62_82 , H10D64_23 , H10D10_01 , H10D10_80 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

射频通信, 5G通信基站, 高速集成电路, 功率放大器, 高频电子器件

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摘要

本发明提供一种GAA结构的异质结双极晶体管及其制备方法，该晶体管为小尺寸器件，主要利用全环绕栅式场效应晶体管(GAAFET)的工艺，制备Si/SiGe异质结双极晶体管。该结构的发射区与基区形成全包围式异质发射结，基区与集电区形成全包围式集电结，有效增加了发射结的注入效率和集电区抽取载流子的能力。对于Si/SiGe异质结，可以通过调节SiGe材料带隙宽度的变化来对载流子进行有效控制；通过提高SiGe基区的掺杂浓度使器件得到较高的Early电压，减小基极电阻，减弱大注入效应；通过减薄基区厚度大幅缩短基区渡越时间，可实现超高频、超高速和低噪声的优异性能。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN114284338B

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……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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