发明专利已授权

一种FS-IGBT器件阳极的制造方法

📄 申请号：CN201310585511.X 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2013-11-19

公开号

CN103578959B

公开日

2016-03-23

申请人

电子科技大学,东莞电子科技大学电子信息工程研究院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_28

IPC 分类号

H01L21_28 , H01L21_331 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体制造工艺

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 工业控制, 智能电网, 轨道交通

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摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种FS-IGBT器件阳极的制造方法。本发明的一种FS-IGBT器件阳极的制造方法，主要步骤为：对硅片1背面进行减薄处理；清洗硅片1背面并注入N型杂质，高温推结形成场阻止层2和表面牺牲层3；翻转硅片1完成正面制作工序；去掉硅片1背面的表面牺牲层3；清洗硅片1背面并注入P型杂质，退火形成P型集电极区10；背面金属11积淀。本发明的有益效果为，在不破坏FS层杂质分布前提下，能有效去除背部表面沾污、缺陷，并且实现方式简便、容易控制。本发明尤其适用于FS-IGBT器件阳极的制造。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种低功耗绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管

当前第 / 件

一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器

同领域国内专利 · IPC: (H01L21_28)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：112 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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