发明专利 已授权

一种具有晶粒密堆积结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法

📄 申请号:CN201810247215.1 📄 发布日:2026/08/04

著录项目信息

申请日
2018-03-23
申请人
浙江工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体器件, 电子器件, 场发射阴极, 耐磨涂层, 热管理材料

摘要

本发明公开了一种具有新颖微结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法:采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD),在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。以丙酮作为碳源,采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体,生长时间约40‑60分钟,制备得到厚度1‑3μm左右的纳米金刚石薄膜,晶粒尺寸10‑30nm,薄膜中非晶碳晶界含量非常少。对该晶粒密堆积纳米金刚石薄膜进行硫离子以及氧离子注入,注入后的样品再进行低真空退火,即得到所述迁移率普遍达到400cm2/V·s以上的n型纳米金刚石薄膜。对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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