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发明专利
已授权
一种具有晶粒密堆积结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法
📄 申请号:CN201810247215.1
📄 发布日:2026/08/04
著录项目信息
申请日
2018-03-23
申请人
浙江工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
C23C16_27
IPC 分类号
C23C16_27
,
C23C16_56
,
C23C14_48
,
技术画像
所属领域
纳米金刚石薄膜
纳米金刚石薄膜
半导体材料
薄膜制备技术
应用场景
半导体器件, 电子器件, 场发射阴极, 耐磨涂层, 热管理材料
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摘要
本发明公开了一种具有新颖微结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法:采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD),在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。以丙酮作为碳源,采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体,生长时间约40‑60分钟,制备得到厚度1‑3μm左右的纳米金刚石薄膜,晶粒尺寸10‑30nm,薄膜中非晶碳晶界含量非常少。对该晶粒密堆积纳米金刚石薄膜进行硫离子以及氧离子注入,注入后的样品再进行低真空退火,即得到所述迁移率普遍达到400cm2/V·s以上的n型纳米金刚石薄膜。对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种纤维素基凝胶电解质的制备方法
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