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一种具有晶粒密堆积结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法

Name: 一种具有晶粒密堆积结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法
Brand: 浙江工业大学
SKU: 2018102472151
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810247215.1 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2018-03-23

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_27

IPC 分类号

C23C16_27 , C23C16_56 , C23C14_48 ,

技术画像

所属领域

纳米金刚石薄膜纳米金刚石薄膜半导体材料薄膜制备技术

应用场景

半导体器件, 电子器件, 场发射阴极, 耐磨涂层, 热管理材料

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摘要

本发明公开了一种具有新颖微结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法：采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)，在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜。以丙酮作为碳源，采用氢气鼓泡方式将碳源带入反应室腔体，生长时间约40‑60分钟，制备得到厚度1‑3μm左右的纳米金刚石薄膜，晶粒尺寸10‑30nm，薄膜中非晶碳晶界含量非常少。对该晶粒密堆积纳米金刚石薄膜进行硫离子以及氧离子注入，注入后的样品再进行低真空退火，即得到所述迁移率普遍达到400cm2/V·s以上的n型纳米金刚石薄膜。对于实现金刚石薄膜在半导体器件、光电子领域、场发射显示器等领域的应用具有十分重要的意义和价值。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种纤维素基凝胶电解质的制备方法

当前第 / 件

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