发明专利已授权

硫离子注入纳米金刚石-石墨烯复合薄膜电极及其制备方法

📄 申请号：CN201911352014.9 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2019-12-25

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_26

IPC 分类号

C23C16_26 , C23C14_48 , C23C14_58 , C23C28_04 ,

技术画像

所属领域

纳米金刚石复合薄膜电极材料离子注入改性技术纳米碳材料纳米金刚石

应用场景

超级电容器, 二次电池, 电化学传感器, 电解水制氢, 储能器件

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摘要

本发明提供了一种硫离子注入纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，本发明利用热丝化学气相沉积在单晶硅衬底上制备纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，对制备出的复合薄膜进行硫离子注入，并对注入后的复合薄膜进行真空退火处理，即得到SNCD‑G复合薄膜，该复合薄膜具有优异的电化学活性、极低的背景电流和较宽的电势窗口，十分有利于应用在高精度的痕量检测领域。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220621

✅ 授权

20200609

?? 实质审查的生效：

20200515

📄 公开

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