发明专利已授权

静态随机存取存储器及其制造方法

📄 申请号：CN201810086149.4 📄 发布日：2025/09/08

著录项目信息

申请日

2018-01-30

公开号

CN108109966A

公开日

2018-06-01

申请人

德淮半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_8244

IPC 分类号

H01L21_8244 , H01L27_11 ,

技术画像

所属领域

半导体存储器件半导体存储器件集成电路制造静态随机存取存储器

应用场景

数据中心, 消费电子, 计算机系统, 移动设备, 嵌入式系统

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摘要

本公开涉及静态随机存取存储器及其制造方法。一种制造静态随机存取存储器的方法，其特征在于，包括：在基底上形成图案化的第一栅极部分，使得相邻的第一栅极部分之间具有第一间隔区域；在所述第一栅极部分之上以及所述第一间隔区域中沉积栅极材料；以及对所述栅极材料进行选择性刻蚀，从而形成第二栅极部分，其中所述栅极材料的一部分从所述第一间隔区域中去除，从而在所述第一栅极部分与所述第二栅极部分之间形成第二间隔区域，其中所述第一间隔区域的尺寸大于所述第二间隔区域的尺寸。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

图像传感器及形成图像传感器的方法

当前第 / 件

测试装置、测试装置的制造方法以及测试方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L21_8244)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：126 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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