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本发明是基于有机小分子的有机场效应晶体管存储器，通过浮栅‑遂穿层一体化构造的器件结构。整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体层、浮栅‑遂穿层、栅绝缘层，其中浮栅层与遂穿层共同构成构成电荷存储层。本发明旨在通过简单的溶液悬涂工艺形成一种纳米结构避免了复杂的纳米技术制备薄膜，实现较大的存储窗、开关比(105)、具有较好的稳定性反复擦写耐受性、实现了光擦除有利于信息加密，并且成本较低可以大面积商业推广、生产。

一种存储器及其形成方法，结构包括:衬底，所述衬底内具有相邻的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和第二阱区的掺杂类型相反；位于第一阱区和第二阱区内的第一沟槽，且所述第一沟槽自第一阱区延伸至第二阱区；位于所述第一沟槽内的字线栅极结构；位于所述字线栅极结构表面的第一隔离层，所述第一隔离层填充满所述第一沟槽；位于第一阱区内的第二隔离层；位于第一阱区内的源线掺杂区，所述源线掺杂区位于所述第一隔离层和第二隔离层之间；位于第二阱区表面的位线栅极结构。所述存储器的占用面积得到改善。

本发明公开了一种铁电薄膜的周期性条带畴结构及其表征方法，属于微纳表征技术领域，该方法包括以下步骤：脉冲激光沉积制备铁酸铋薄膜；通过X射线衍射仪表征其晶格常数，确定其为菱形相结构，利用压电蝴蝶曲线确认其铁电性良好和矫顽电压，通过原子力显微镜表征其形貌；运用矢量压电力显微镜表征纳米铁电薄膜中的周期性条带畴，采用精细的矢量压电力显微术分析方法确定其三维畴结构；使用导电原子力显微镜观测到条带畴的畴壁导电。通过本发明给出的铁电薄膜制备方法，可用于非挥发的、高密度的铁电随机存取存储器；同时，提供的表征方法能够准确给出周期性条带畴的三维畴结构及畴壁导电；为高密度的铁电存储器件开发及表征检测提供方案。