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本发明公开了一种全无机钙钛矿阻变存储器及其制备方法。所述存储器结构从下至上依次为底电极、阻变层和顶电极。ITO作为底电极，CsPbBr3薄膜作为阻变层，用金属Pt、或Au、或W作为顶电极。制备步骤为将CsPbBr3粉末溶解在DMSO溶液中配制前驱液，用旋涂仪将前驱液旋涂在ITO底电极上，再滴加甲苯作反溶剂，使钙钛矿层快速结晶，并在100～150℃条件下退火10～30min，获得致密的CsPbBr3多晶薄膜。再在CsPbBr3薄膜表面沉积顶电极。该存储器的阻变层由全无机材料制得，制备工艺简单，成本低，通过改变加热温度和加热时间，器件表现出优异的阻变特性及空气热稳定性。

一种存储器及其形成方法，结构包括:衬底，所述衬底内具有相邻的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和第二阱区的掺杂类型相反；位于第一阱区和第二阱区内的第一沟槽，且所述第一沟槽自第一阱区延伸至第二阱区；位于所述第一沟槽内的字线栅极结构；位于所述字线栅极结构表面的第一隔离层，所述第一隔离层填充满所述第一沟槽；位于第一阱区内的第二隔离层；位于第一阱区内的源线掺杂区，所述源线掺杂区位于所述第一隔离层和第二隔离层之间；位于第二阱区表面的位线栅极结构。所述存储器的占用面积得到改善。

本公开涉及静态随机存取存储器及其制造方法。一种制造静态随机存取存储器的方法，其特征在于，包括：在基底上形成图案化的第一栅极部分，使得相邻的第一栅极部分之间具有第一间隔区域；在所述第一栅极部分之上以及所述第一间隔区域中沉积栅极材料；以及对所述栅极材料进行选择性刻蚀，从而形成第二栅极部分，其中所述栅极材料的一部分从所述第一间隔区域中去除，从而在所述第一栅极部分与所述第二栅极部分之间形成第二间隔区域，其中所述第一间隔区域的尺寸大于所述第二间隔区域的尺寸。