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一种低损伤AlGaN/GaNHEMT栅槽刻蚀方法

Name: 一种低损伤AlGaN/GaNHEMT栅槽刻蚀方法
Brand: 江南大学
SKU: 2019103234850
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910323485.0 📄 发布日：2026/10/29

著录项目信息

申请日

2019-04-22

公开号

CN110047748A

公开日

2019-07-23

申请人

江南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_3065

IPC 分类号

H01L21_3065 , H01L21_67 , H01L21_28 , H01L21_335 , H01L29_423 ,

技术画像

所属领域

半导体器件制造半导体器件制造刻蚀工艺氮化镓器件

应用场景

半导体制造, 射频通信, 功率电子, 微波毫米波器件, 5G通信

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摘要

本发明公开了一种低损伤AlGaNGaNHEMT栅槽刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。所述方法刻蚀过程中控制等离子体中离子运动方向与衬底方向水平，且控制等离子体浓度在108‑1010cm‑3，提高了刻蚀的均匀度，降低刻蚀面的粗糙度，还保证了等离子体对样品表面的轰击减少到最小，达到降低表面损伤的目的，同时，刻蚀速率可降至2‑3nm/min，实现刻蚀过程中刻蚀精度的精确控制。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN110047748A

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：13 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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