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共 4 件在售专利
一种基于激光制作沟槽MOSFET的方法与装置,属于半导体领域。本发明解决了在半导体衬底上形成外延层表面后,采用三组激光制备沟槽和方形坑的问题,采用‑x方向、‑y方向激光,其出射口位于凸透镜的焦点处,通过凸透镜后以平行光射向铅光阑照射到外延层表面,形成相互垂直系列等间距的沟槽,这些沟槽之间形成二维方阵凸起;采用‑z方向激光通过凸透镜和铅模板,对这些凸起照射形成二维阵列方形坑;对方形坑注入另一种导电型半导体,利用刻蚀方法对沟槽中沉积的多晶硅与在外延层侧面的氧化物,形成控制栅电极和屏蔽栅电极,最后在外延层表面形成金属源极,在半导体衬底表面形成金属漏极。
📄 2021101206001 📂 B23K26_364 👤 常州大学 📅 2021-01-28
¥0.0 元
本发明属于二极管制造技术领域,具体的说是一种二极管引线连续上胶工艺,该工艺采用了二极管引线上胶装置,该二极管引线上胶装置包括固定架、加料口、胶水箱模块、皮带、皮带轮、上胶头模块、托盘模块和吹干模块,胶水箱模块固定安装在固定架上;胶水箱模块用于盛装胶液;皮带位于胶水箱模块的下方,皮带套在皮带轮上;皮带轮安装在电机轴上;上胶头模块用于对二极管引线进行上胶;托盘模块安装在皮带上;吹干模块安装在胶水箱模块的下表面,吹干模块位于上胶头模块的右侧。本发明主要用于对二极管进行批量连续上胶,提高二极管上胶的效率,满足市场使用需求,同时保证对二极管上胶的时候避免了胶水箱内的胶液凝固,后期清理不方便。
📄 2018104910432 📂 H01L21_56 👤 绍兴华威新材料有限公司 📅 2018-05-21
¥0.0 元
本实用新型涉及一种轴向二极管印字烘烤装置,包括传送系统、沿传送系统上方依次设置的下料系统、印字系统和烘烤系统,传送系统采用两条平行的链条作为传送件,从下料系统落入的物料卡在两条链条之间;下料系统包括下料斗和导料板,导料板一端与下料斗的出料口相连,导料板另一端延伸至传送件上方;印字系统包括位于下料系统的后方,包括油墨盒和印字辊,通过印字辊给传送过来的轴向二极管印字;烘烤系统位于印字系统的后方,烘烤系统包括用于烘烤物料的UV灯。本实用新型使常规印字包装一体机在工作过程中产生的印字漏印和印字不良的返工材料可以省去一体机在工作中的多个步骤,提高生产效率。
📄 2021204464227 📂 B41F17_00 👤 济南鲁晶半导体有限公司 📅 2021-03-02
¥0.0 元
本发明属于二极管制造技术领域,具体的说是一种二极管酸洗处理系统,包括箱体、摆动模块、放置盒和酸洗板;箱体底部设有摆动模块,摆动模块用于向箱体内注入酸液,摆动模块上端设有放置盒;放置盒位于箱体中部,酸洗板安装在放置盒内;酸洗板用于放置二极管。通过一边注入酸液,一边将酸液导出进行杂质过滤,增加酸液流动性,提高酸洗效率;杂质过滤装置非本案创新之处,在此不做详述;摆动模块在向箱体内注入酸液的同时使得放置盒摆动,增加酸液的流动性。本发明通过在摆动模块上端设有放置盒,酸洗板安装在放置盒内,通过摆动模块在向箱体内注入酸液的同时使得放置盒摆动,增加酸液的流动性,提高二极管酸洗效率。
📄 2018104913869 📂 H01L21_67 👤 泗县田原秸秆回收再利用有限责任公司 📅 2018-05-21
¥0.0 元
发明 已授权

一种基于激光制作沟槽MOSFET的方法与装置

2021101206001 · 常州大学
¥0.0 元
发明 已授权

一种二极管引线连续上胶工艺

2018104910432 · 绍兴华威新材料有限公司
¥0.0 元
实用新型 已授权

一种轴向二极管印字烘烤装置

2021204464227 · 济南鲁晶半导体有限公司
¥0.0 元
发明 已授权

一种二极管酸洗处理系统

2018104913869 · 泗县田原秸秆回收再利用有限责任公司
¥0.0 元

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