发明专利已授权

一种芯片的转移方法

📄 申请号：CN201710874383.9 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-09-25

申请人

广东佛智芯微电子有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_683

IPC 分类号

H01L21_683

技术画像

所属领域

半导体制造工艺半导体制造工艺芯片封装技术巨量转移技术

应用场景

显示面板制造, Micro LED显示, 半导体封装, 光电子器件

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摘要

本发明提供了一种芯片的转移方法，包括以下步骤：在晶圆芯片的凸点背面沉积含有磁性材料的有机材料层；将导电杆接通正向电流，利用导电杆头部镀有的软磁材料与所述有机材料层相反的磁性，使导电杆与所述晶圆芯片吸附；将所述晶圆芯片倒装焊接后，将导电杆接通反向电流使导电杆与晶圆芯片脱离。本申请提供的芯片的转移方法可用于微型芯片的转移，解决了微型芯片由于尺寸小带来的转移困难的问题，提高了芯片的转移效率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构与方法

当前第 / 件

Cu/SiO2复合材料、其制备方法与铜-陶瓷基板的制备方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L21_683)

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