发明专利已授权

Cu/SiO2复合材料、其制备方法与铜-陶瓷基板的制备方法

📄 申请号：CN201710842165.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2017-09-18

申请人

广东盈科材料有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B22F9_24

IPC 分类号

B22F9_24 , B22F1_02 , B82Y40_00 , H01L21_48 ,

技术画像

所属领域

复合材料复合材料陶瓷基板电子封装材料

应用场景

功率半导体封装, 电子封装, 集成电路基板, LED散热基板, 新能源汽车功率模块

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摘要

本发明提供了一种Cu/SiO2复合材料的制备方法，包括以下步骤：将铜盐、纳米二氧化硅、还原剂和保护剂进行水热反应，得到Cu/SiO2复合材料。本申请还提供了一种利用Cu/SiO2复合材料制备铜‑陶瓷基板的方法，包括以下步骤：将Cu/SiO2复合材料与有机溶剂混合，得到纳米铜膏；将所述纳米铜膏印刷于陶瓷基板表面，再进行烧结，最后依次进行光刻、显影和电镀，得到铜‑陶瓷基板。本申请制备铜‑陶瓷基板的过程中，由于Cu/SiO2复合材料的纳米尺寸效应与其中的纳米SiO2可与陶瓷基板中的三氧化二铝、氮化铝反应，从而可在较低的烧结温度下实现铜‑陶瓷间的高强度键合。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种芯片的转移方法

当前第 / 件

一种多芯片同步倒装机构及其封装工艺

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