本发明提供了一种芯片的转移方法，包括以下步骤：在晶圆芯片的凸点背面沉积含有磁性材料的有机材料层；将导电杆接通正向电流，利用导电杆头部镀有的软磁材料与所述有机材料层相反的磁性，使导电杆与所述晶圆芯片吸附；将所述晶圆芯片倒装焊接后，将导电杆接通反向电流使导电杆与晶圆芯片脱离。本申请提供的芯片的转移方法可用于微型芯片的转移，解决了微型芯片由于尺寸小带来的转移困难的问题，提高了芯片的转移效率。
📄 2017108743839
📂 H01L21_683
👤 广东佛智芯微电子有限公司
📅 2017-09-25
本发明公开了一种抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法，通过化学反应引入金属‑氧化学键消除光刻胶图形表面去离子水表面张力影响，增强光刻胶图形机械强度从而抑制图形坍塌与黏连。本发明引入的金属‑氧化学键可以消除水分子表面张力的影响，有效增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌与黏连；生长工艺简单，成本低，效率高；生长温度低，不会对光刻胶图形造成新的破坏；去胶时容易清除图形表面附着的金属‑氧化学键，不会引入新污染。
📄 2020103029011
📂 G03F7_40
👤 淮北师范大学
📅 2020-04-17
本发明提供了一种用于半导体晶圆表面的磨削方法，通过制备的带有导电层包覆的硬质磨粒的研磨盘，控制脉冲电源可使工件与研磨盘表层的导电磨粒间形成电火花放电通道，放电产生高温仅诱导半导体晶圆表层氧化而不产生裂纹，再由导电磨粒对应去除氧化层，显著提高大尺寸半导体晶圆的处理效率，获取无损伤半导体晶圆表面，结合磨粒放电和特制研磨盘，对半导体晶圆表面氧化层的高效去除，同时确保了磨削过程中的无损伤，在半导体制造中提供更高效、更可控的磨削工艺，且包覆有导电层的硬质磨粒所形成的导电磨粒，确保硬质磨粒可以直接获得导电特性，也可以有效避免硬质磨粒直接进行磨削操作，而是通过导电层与待磨削物进行缓冲接触。
📄 2024102632071
📂 B24B1_00
👤 华侨大学
📅 2024-03-08
本发明属于晶圆领域，尤其是一种硅晶圆光阻溶解过程观测装置，针对目前市场上的硅晶圆光阻溶解过程观测装置使用不够方便，不便于进行溶解操作，现提出如下方案：一种硅晶圆光阻溶解过程观测装置，包括底座与溶解桶，所述底座的下端外表面固定安装有支架，所述支架的下端活动安装有滚轮，所述底座的上端固定安装有固定座，所述溶解桶放置在固定座的上端，所述底座的上端位于固定座的一侧的位置固定安装有安装座，所述安装座的上端活动连接有立柱。本发明中，通过滚轮上的减震结构是装置移动更加稳定，通过可转动的立柱能够方便观测装置的使用，并且通过可升降的夹具能够方便对晶圆进行光阻溶解操作。
📄 2020105515705
📂 H01L21_66
👤 山东新思航信息科技服务有限公司
📅 2020-06-17
本实用新型公开了半导体湿法蚀刻的装置，涉及湿式制程技术领域。本实用新型包括蚀刻室，蚀刻室内壁固定安装有若干气缸，气缸的伸缩端固定连接有移动轨道，移动轨道的内壁连接有基板，基板的右端活动连接有夹持板，两夹持板固定连接有弹簧，弹簧远离夹持板的一端固定连接有连接架，连接架的右侧面固定连接有连接板，连接板的右侧面固定连接有安装板。本实用新型通过向右移动连接架可以带动基板向右移动，解决了采用滚轮带动基板移动时会留下滚痕的缺点，同时降低了成本，通过在移动轨道内设置移动滚轮，可以辅助基板移动，通过设置软垫可以防止气缸伸长时压迫基板，通过回收管回收喷洒液，循环使用，通过液压缸为连接架提供动力，带动基板移动。
📄 2021223870758
📂 H01L21_67
👤 深圳市盛鸿运科技有限公司
📅 2021-09-30
本发明公开了一种氮化硼刻蚀的方法；本发明采用压印法以表面有图案的聚二甲基硅氧烷(PDMS)模板为印章，将氧化石墨烯溶液转印到氮化硼薄膜表面，然后在硫化钼蒸气中在一定温度下保温一定时间，在氮化硼表面刻蚀出图案，完成PDMS表面的图案向氮化硼表面的转移。本发明通过二硫化钼蒸气催化分解氮化硼，降低了氮化硼光刻条件，方法简单、方便和可操作性强。
📄 2017100436531
📂 C23C16_455
👤 陕西方驰振科技有限公司
📅 2017-01-19
本发明技术方案公开了一种沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺。所述沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有研磨停止层；依次刻蚀所述研磨停止层和半导体衬底，在所述研磨停止层和半导体衬底内形成沟槽；采用原子层沉积工艺在所述研磨停止层表面、所述沟槽侧壁及底部形成氧化硅层；采用TEOS‑Ozone热化学气相沉积工艺向所述沟槽内填充氧化硅，所述氧化硅填满所述沟槽且覆盖所述氧化硅层。本发明技术方案能够优化TEOS‑Ozone氧化硅薄膜的沉积速率、均匀性、致密性，从而提高薄膜质量及产能。
📄 2018114792926
📂 H01L21_762
👤 淮安西德工业设计有限公司
📅 2018-12-05
本发明涉及芯片加工技术领域，具体涉及一种高效低成本芯片去胶装置及去胶工艺，包括匚型导轨，所述匚型导轨的两端均固定有支撑面板，两个所述支撑面板之间固定有横梁，所述匚型导轨的内部滑动连接有机箱，所述机箱的顶面设置有支撑件，所述横梁的一端固定有方型管一，所述方型管一的底端滑动连接有连接板一，所述连接板一的两端均滑动套接有矩形管一，所述匚型卡轨的内部滑动连接有抽吸柱。本发明中，通过将切割后的溢胶移动到海绵辊的下方，海绵辊先向溢胶的切孔滴加酒精，便于酒精精抛溢胶，接着海绵辊及海绵凸块往复转动的同时进行往复横向移动，实现滚动擦拭已经被酒精浸泡后的溢胶，有利于提高溢胶清除的效率。
📄 2022115436709
📂 B08B5_04
👤 侯佳俊
📅 2022-12-03
本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1-yGey层、Si1-xGex层、第二驰豫Si1-yGey层、应变Si1-rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0
📄 2017110570202
📂 H01L27_06
👤 重庆邮电大学
📅 2017-10-27
本发明提供了一种多晶硅熔丝结构的制造方法，包括：提供一衬底，并在该衬底上表面形成浅沟槽隔离沟槽；在所述浅沟槽隔离沟槽中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；在所述浅沟槽隔离结构中形成一凹槽，所述凹槽的深度、宽度和长度钧小于所述浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构的上表面以及凹槽中形成一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；在所述凹槽中沉积所述隔离材料形成一隔离材料层，所述隔离材料层至少覆盖所述第一水平部分。
📄 2018110289410
📂 H01L23_525
👤 乐清市风杰电子科技有限公司
📅 2016-12-02
已申报项目
本发明属于半导体加工技术领域，具体的说是一种晶圆离子注入方法，本方法采用的刻蚀装置，包括移动模块、抓取模块、一号反应槽、二号反应槽、三号反应槽和储料筒，反应仓内壁底表面固定安装有一号反应槽、二号反应槽和三号反应槽；移动模块固定安装在反应仓内壁的侧表面顶部；抓取模块安装在移动模块上，储料筒用于存放晶圆；抓取模块用于对储料筒进行抓取；储料筒从进料门输送至反应仓中；移动模块通过与抓取模块配合将储料筒中的晶圆，依次放入三号反应槽、二号反应槽和一号反应槽中刻蚀；本发明主要用于对晶圆进行刻蚀,能够提高刻蚀液的使用效率，能够对晶圆进行批量化刻蚀，提高了刻蚀效率。
📄 2018104913835
📂 H01L21_67
👤 陈涛
📅 2018-05-21
本发明提供了一种金属互连结构的制备方法，其包括有提供具有互连线的下方介质层；在下方介质层上依次形成富含氮的蚀刻终止检测层、多孔层间介质层、低K缓冲层、金属硬掩模层；在所述金属硬掩模层上形成具有开口图案的光刻胶层，并且开口的截面的宽度大于互连线的截面宽度；对金属硬掩模层和低K缓冲层进行刻蚀，形成开口结构；以开口结构为掩模对多孔层间介质层进行飞秒激光刻蚀；通过检测，当刻蚀到所述富含氮的蚀刻终止检测层时，采用第三刻蚀，并在刻蚀过程中通入氢气还原气体；在暴露出下方的所述互连线之后，持续通入氢气并对下方介质层进一步的过刻蚀，形成开口结构；在开口结构中依次形成阻挡层、晶种层和金属层，形成金属互连结构。
📄 201810166460X
📂 H01L21_311
👤 佛山市宝粤美科技有限公司
📅 2018-02-28
发明
已授权
2017108743839 · 广东佛智芯微电子有限公司
¥0.0 元
发明
已授权
2020103029011 · 淮北师范大学
¥0.0 元
发明
已授权
2024102632071 · 华侨大学
¥0.0 元
发明
已授权
2020105515705 · 山东新思航信息科技服务有限公司
¥0.0 元
实用新型
已授权
2021223870758 · 深圳市盛鸿运科技有限公司
¥0.0 元
发明
已授权
2017100436531 · 陕西方驰振科技有限公司
¥0.0 元
发明
已授权
2018114792926 · 淮安西德工业设计有限公司
¥0.0 元
发明
已授权
2022115436709 · 侯佳俊
¥0.0 元
发明
已授权
2017110570202 · 重庆邮电大学
¥0.0 元
发明
已授权
2018110289410 · 乐清市风杰电子科技有限公司
已申报项目
¥0.0 元
发明
已授权
2018104913835 · 陈涛
¥0.0 元
发明
已授权
201810166460X · 佛山市宝粤美科技有限公司
¥0.0 元
🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算：¥50-100万截止：2026-08-30发布方：××新能源科技响应：8人
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转让方：××科技公司
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交易金额：¥50万/年
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