发明专利已授权

一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构与方法

📄 申请号：CN201910446516.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-05-27

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L23_48

IPC 分类号

H01L23_48 , H01L23_485 , H01L21_48 , H01L21_50 , H01L21_56 ,

技术画像

所属领域

半导体封装半导体封装扇出型封装技术高密度互连

应用场景

集成电路封装, 芯片级封装, 消费电子, 5G通信, 高性能计算

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摘要

一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构，包括塑封层，以及封装固化于塑封层中露出功能面凸点的芯片；塑封层下有一层或多层介电层；介电层内有热压入的高密度嵌入再布线层；通过激光打孔贯穿嵌入的再布线层和介电层，电镀填充铜形成铜柱，实现介电层上面线路及下面线路电连接；高密度再布线层的外表面除了焊球的位置外均设置有介电层。本发明根据上述内容提出一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构与方法，利用晶圆级制程设备制备再布线层，并进行线路转移，形成嵌入式再布线层，实现亚微米级的再布线线距，在相同芯片面积下可满足更多数量I/O连接。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种高密度嵌入式线路的制作方法

当前第 / 件

一种芯片的转移方法

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