发明专利已授权

一种补偿负电容晶体管内部栅电势损失的方法

📄 申请号：CN202110417676.0 📄 发布日：2026/08/11

著录项目信息

申请日

2021-04-19

公开号

CN113223965B

公开日

2023-02-24

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_336

IPC 分类号

H01L21_336 , H01L29_78 , H01L29_08 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

集成电路, 低功耗芯片, 高性能计算, 逻辑器件, 半导体制造

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摘要

本发明公开了一种补偿负电容晶体管在高漏极电压下靠近漏极侧内栅电势损失的方法，本发明在现有的N型负电容晶体管制作过程中，增加一道P型离子的沟道注入步骤。具体实施方法为：在完成N型负电容晶体管的金属栅极TiN材料积淀工艺之后，在靠近漏端(drain)的沟道区域局部额外注入一定浓度的P型离子，目的是提高漏极与沟道交界处局部区域的P型离子的掺杂浓度，并且保持之后的现有工艺技术和步骤都不变。其特点是这种方法与现有nNCFET工艺具有很好的兼容性，制造过程没有明显的增加工艺难度与复杂度。本发明通过可以缓解负电容晶体管输出电流随着漏极电压升高而下降导致的负微分电阻现象，保持了nNCFET优良的性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于固定时间的多智能体系统二分一致跟踪方法

当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：7 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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